[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板在审
申请号: | 202210438487.6 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN114823733A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 卢昭阳;郑浩旋 | 申请(专利权)人: | 长沙惠科光电有限公司;惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人: | 金云嵋 |
地址: | 410000 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
本公开具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板,阵列基板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和钝化层;衬底基板包括显示区和环绕显示区设置的非显示区;第一金属层包括位于非显示区上薄膜晶体管的第一栅极,第二金属层包括位于非显示区上薄膜晶体管的第一极和第二极,第一极和第二极间隔设置,第一极与第一栅极在衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第一电容;阵列基板还包括位于钝化层远离衬底基板一侧的电极层,电极层包括位于非显示区的补偿电极,补偿电极与第一极通过第一过孔电连接,且补偿电极与第一极在衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第二电容,以实现窄边框显示。
技术领域
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多有点,得到广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等等,在平板显示领域中占主导地位。
GDL技术(Gate Driver less)即较少的闸极驱动器技术,是运用液晶显示面板的原有阵列制程将水平扫描线的驱动电路制作在显示区周围的基板上,使之能替代外接集成电路板(Integrated Circuit,IC)来完成水平扫描线的驱动。GDL技术(Gate Driver less)能减少外接IC的焊接(bonding)工序,有机会提升产能并降低产品成本,而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框或无边框的显示产品。可以采用GDL技术(Gate Driver less)将栅极驱动器制作在薄膜晶体管阵列基板上,节省空间及驱动IC的成本。
随着显示器的快速发展,窄边框显示面板越来越受到用户喜爱,高屏占比显示器相比传统显示器,外观更美观。但是一般来说,通过减少ACOM(公共电极)走线的宽度来降低边框是有限,因为降低太多,会增大ACOM(公共电极)阻抗,进而造成Croostalk(串扰)不良;另外通过减少栅极驱动电路中薄膜晶体管(TFT)的大小以及Cap(电容),会降低栅极驱动电路本身的稳定性,因此窄边框技术是面板设计技术人员有待解决的难题。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板,能够实现窄边框显示。
本公开第一方面提供了一种阵列基板,包括衬底基板以及依次形成在所述衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和钝化层;
所述衬底基板包括显示区和环绕所述显示区设置的非显示区;
所述第一金属层包括位于所述非显示区上薄膜晶体管的第一栅极,所述第二金属层包括位于所述非显示区上薄膜晶体管的第一极和第二极,所述第一极和所述第二极间隔设置,所述第一极与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第一电容;
所述阵列基板还包括位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的电极层,所述电极层包括位于所述非显示区的补偿电极,所述补偿电极与所述第一极通过第一过孔电连接,且所述补偿电极与所述第一极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠以形成第二电容。
在本公开的一种示例性实施例中,所述补偿电极与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影至少存在部分交叠。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一过孔与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。
在本公开的一种示例性实施例中,所述补偿电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一极在所述衬底基板上正投影的内部。
在本公开的一种示例性实施例中,所述补偿电极在所述第一极上的交叠面积与所述第一极在所述第一栅极上的交叠面积的比值范围为0.7-1。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括位于非显示区中的时钟信号线,所述时钟信号线与所述第二极连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的