[发明专利]一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构，包括TFT侧玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上设有GE金属层/无机膜层混合阻挡层，无机膜层和GE金属层的上表面齐平，无机膜层设在GE金属层的两侧，无机膜层的斜面与玻璃基板的锐角夹角小于50°，所述GE金属层/无机膜层混合阻挡层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。

2.根据权利要求1所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述GE金属层由铝、钼、钛、镍、铜或它们的合金成型。

3.根据权利要求1所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述无机膜层由SiOx材料成型。

4.根据权利要求1所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述GI绝缘层由SiOx或SiNx材料成型。

5.根据权利要求1所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述PV绝缘层由SiOx或SiNx材料成型。

6.如权利要求1-5任一项所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在玻璃基板上通过物理气相沉积法形成GE金属层；

2）在GE金属层上沉积一层无机膜层；

3）为了消除高于GE金属层上表面的无机膜层，采用化学机械平坦化抛光工艺，使用研磨垫、研磨液对无机膜层进行研磨，将突出于GE金属层上表面的无机膜层磨平，形成GE金属层/无机膜层混合阻挡层；

4）在抛光后的GE金属层/无机膜层混合阻挡层表面涂布一层光阻PR；

5）与GE金属层共用同一光罩，采用弱曝的形式，进行曝光显影制程；

6）经过弱曝显影后，保留下Pattern后的光阻PR；

7）进行干蚀刻制程，蚀刻去除未被光阻PR保护区域的无机膜层，且无机膜层的斜面与玻璃基板的锐角夹角小于50°；

8) 进行剥膜制程，采用剥膜液体对光阻PR进行剥膜洗净；

9）通过化学气相沉积法依次形成GI绝缘层、PV绝缘层。

7.根据权利要求6所述的一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，其特征在于，步骤3）具体如下：

3-1）采用Al₂O₃研磨液研磨去除大部分高于GE金属层的无机膜层，留下薄而均匀的无机膜层，压力为0.4~0.8MPa，研磨速率为800~1500A/min；

3-2）采用Al₂O₃研磨液，用较低的压力和研磨速率将剩余的薄而均匀的无机膜层磨平，压力为0.05~0.1MPa，研磨速率为100~300A/min；

3-3）进行阻挡层抛光，采用Al₂O₃研磨液，用较软的研磨垫去除抛光表面的GE金属/无机膜混合阻挡层。