[发明专利]一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法

说明书

本发明公开一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，包括TFT侧玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上设有GE金属层/无机膜层混合阻挡层，无机膜层和GE金属层的上表面齐平，无机膜层设在GE金属层的两侧，无机膜层的斜面与玻璃基板的锐角夹角小于50°，所述GE金属层/无机膜层混合阻挡层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。本发明在现有的GE Taper侧面搭接一层无机膜层，利用搭接的无机膜层的低Taper来Cover原有的GE Taper角度大的问题，避免了因Taper过大而造成金属残留，从而达到提高产品良率的目的。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法。

背景技术

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT-LCD。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。

现阶段随着市场LCD显示屏窄边框需求趋势明显，且低成本、高分辨率IGZO面板逐渐成为开发的热点，但随着分辨率的提升，IGZO TFT器件的Short chanel（短沟道）设计对制程要求越来越高，金属层线宽线距及精度、金属层与非金属层膜质的选择/搭配直接影响到TFT器件电学特性的稳定性

而制程方面，现有的TFT阵列基板的金属层蚀刻方式主要以湿刻(Mo/Al/Mo为例)和干刻(Ti/Al/Ti为例)为主，考虑到工艺成本、金属线CD大小精度、TFT器件Short chanel设计及不同金属/无机膜层搭配等种种设计需求，常会以Ti/Al/Ti作为SD层的金属，但实际量产过程中会发现，在GE层Taper的侧面处会极易出现一些SD金属残留，会造成后制程膜层堆叠覆盖性不佳和相邻SD金属线的短路现象，最终影响产品的良率。除目前制程中的干蚀刻工艺需要继续提高以外，实际上GE Taper（GE金属经蚀刻后侧面金属层的角度）偏大往往是造成SD金属残留的主要制程原因，而减缓GE Taper仍然是制程上需要攻克的难点，目前仍未有所改善。因此，在现有的制程工艺能力基础上，如何避免SD层金属残留成为了技术关键。

发明内容

本发明旨在提供一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，通过在现有的GE Taper 侧面搭接一层SiOx膜层，利用搭接的SiOx的低Taper来Cover原有的GE Taper角度大的问题，避免了因Taper过大而造成金属残留，从而达到提高产品良率的目的。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构，其包括TFT侧玻璃基板，所述玻璃基板上设有GE金属层/无机膜层混合阻挡层，无机膜层和GE金属层的上表面齐平，无机膜层设在GE金属层的两侧，无机膜层的斜面与玻璃基板的锐角夹角小于50°，所述GE金属层/无机膜层混合阻挡层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。

一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构的制造方法，包括以下步骤：

1）在玻璃基板上通过物理气相沉积法形成GE金属层；

2）在GE金属层上沉积一层无机膜层；

3）为了消除高于GE金属层上表面的无机膜层，采用化学机械平坦化抛光（CMP）工艺，使用研磨垫、研磨液对无机膜层进行研磨，将突出于GE金属层上表面的无机膜层磨平，形成GE金属层/无机膜层混合阻挡层，具体如下；

3-1）采用Al₂O₃研磨液研磨去除大部分高于GE金属层的无机膜层，留下薄而均匀的无机膜层，(研磨前的无机膜层厚度为3000A左右，经研磨后剩余的无机膜层厚度为1000A左右)压力为0.4~0.8MPa，研磨速率为800~1500A/min；