[发明专利]存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储单元区，其包括耦接至多个行中的每一行的多个正常单元和多个行锤击单元，其中，选择的行的所述行锤击单元适用于存储第一数据和第二数据，所述第一数据表示对所述选择的行的访问数量，所述第二数据指示是否刷新所述选择的行的第二相邻行；以及

刷新控制电路，其适用于：

当输入激活命令时，基于从与输入地址相对应的行读取的第一数据来选择采样地址，

响应于刷新命令，确定是否刷新与所述采样地址相对应的目标行的第一相邻行，以及

响应于所述刷新命令，基于从所述目标行读取的第二数据来确定是否刷新所述目标行的第二相邻行。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，所述行在列方向上顺序地布置，以及

其中，第n行的第一相邻行是物理上最接近所述第n行的第n±1行，以及所述第n行的第二相邻行是物理上与所述第n行相邻的第n±k行，其中k为大于或等于2的整数。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述刷新控制电路还适用于：当输入所述激活命令时，更新存储在与所述输入地址相对应的行的行锤击单元中的所述第一数据和所述第二数据。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述刷新控制电路还适用于：当所述刷新命令的输入次数达到预设数量时发布目标刷新命令，以当输入刷新命令时，刷新所述目标行的第一相邻行以及基于所述第二数据来选择性地刷新所述目标行的第二相邻行。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述刷新控制电路还适用于：在所述目标行的第二相邻行的选择性刷新之后，初始化所述目标行的行锤击单元。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述刷新控制电路包括：

命令生成电路，其适用于：根据所述刷新命令生成目标刷新命令，以及根据所述激活命令和行锤击复位信号生成内部读取信号和内部写入信号；

锁存电路，其适用于根据锁存使能信号分别存储所述输入地址和所述第一数据作为所述采样地址和最大计数数据；

锁存控制电路，其适用于通过比较所述第一数据与所述最大计数数据来生成所述锁存使能信号；以及

行锤击分析电路，其适用于：基于所述采样地址来计算多个相邻地址，根据所述目标刷新命令通过基于所述第二数据调度所述相邻地址来输出行锤击地址，以及使能所述行锤击复位信号。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，还包括：

行控制电路，其适用于根据所述目标刷新命令来刷新与所述行锤击地址相对应的一行或多行；以及

列控制电路，其适用于：根据所述内部读取信号从所述行锤击单元输出数据，以及根据所述内部写入信号将数据写入所述行锤击单元。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述刷新控制电路还包括：

计数调整电路，其由所述行锤击复位信号初始化，并且适用于根据所述内部读取信号来增大由所述第一数据表示的数量；以及

比较电路，其由所述行锤击复位信号初始化，并且适用于根据所述数量是否大于或等于阈值来更新所述第二数据。

9.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述行锤击分析电路包括：

相邻地址计算电路，其适用于基于所述采样地址来计算所述相邻地址；以及

行锤击地址输出电路，其适用于基于所述第二数据来调度所述相邻地址，根据所述目标刷新命令来输出调度的相邻地址作为所述行锤击地址，然后使能所述行锤击复位信号。