[发明专利]存储器件及其操作方法

说明书

本公开涉及一种半导体存储器件及其操作方法。该半导体存储器件包括：存储单元区，其包括耦接至多个行中的每一行的正常单元和行锤击单元，其中选择的行的行锤击单元适用于存储第一数据和第二数据，第一数据表示对选择的行的访问数量，第二数据指示是否刷新选择的行的第二相邻行；以及刷新控制电路，其适用于：当输入激活命令时，基于从与输入地址相对应的行读取的第一数据来选择采样地址；响应于刷新命令，确定是否刷新与采样地址相对应的目标行的第一相邻行；以及响应于刷新命令，基于从目标行读取的第二数据来确定是否刷新目标行的第二相邻行。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月12日提交的韩国申请第10-2021-0155701号的优先权，其整体通过引用并入本文。

技术领域

本发明的各种实施例涉及一种半导体设计技术，更具体地，涉及一种执行目标刷新操作的半导体存储器件。

背景技术

近来，除了正常刷新操作之外，对由于行锤击(row hammering)而可能丢失数据的特定字线的存储单元执行附加的刷新操作，在下文中称为“目标刷新操作”。行锤击现象是指耦接至特定字线或设置为与特定字线相邻的相邻字线的存储单元的数据由于特定字线的多次激活而损坏的现象。为了防止行锤击现象，对激活超过预定次数的字线以及设置为与该字线相邻的相邻字线执行目标刷新操作。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体存储器件，其能够设置分别耦接至存储单元区的多个行的行锤击单元，分别将通过对相应行的访问数量进行计数而获得的计数值以及关于是否刷新根据与相应行的物理距离而分类的相邻行的信息存储到行锤击单元中，并根据存储在行锤击单元中的数据来执行目标刷新操作。

根据本发明的实施例，一种半导体存储器件包括：存储单元区，其包括耦接至多个行中的每一行的多个正常单元和多个行锤击单元，其中选择的行的行锤击单元适用于存储第一数据和第二数据，所述第一数据表示对所述选择的行的访问数量，所述第二数据指示是否刷新所述选择的行的第二相邻行；以及刷新控制电路，其适用于：当输入激活命令时，基于从与输入地址相对应的行读取的第一数据来选择采样地址；响应于刷新命令，确定是否刷新与所述采样地址相对应的目标行的第一相邻行；以及响应于所述刷新命令，基于从所述目标行读取的第二数据来确定是否刷新所述目标行的第二相邻行。

根据本发明的一个实施例，一种半导体存储器件包括：存储单元区，其包括耦接至多个行中的每一行的多个正常单元和多个行锤击单元，其中耦接至第n行的行锤击单元包括多个计数单元、第一标志单元和第二标志单元，所述多个计数单元适用于存储所述第n行的访问数量，所述第一标志单元适用于存储指示是否刷新所述第n行的第(n±2)相邻行的数据，所述第二标志单元适用于存储指示是否刷新所述第n行的第(n±3)相邻行的数据；刷新控制电路，其适用于：当输入激活命令时，基于存储在与输入地址相对应的计数单元中的数量来选择采样地址，基于所述采样地址来计算第一相邻地址至第三相邻地址，以及当发布目标刷新命令时，通过基于存储在所述第一标志单元和所述第二标志单元中的数据调度所述第一相邻地址至所述第三相邻地址来输出行锤击地址；以及行控制电路，其适用于根据所述目标刷新命令来刷新与所述行锤击地址相对应的一行或多行。

根据本发明的一个实施例，一种半导体存储器件的操作方法，所述半导体存储器件包括耦接至多个行中的每一行的多个正常单元和多个行锤击单元，所述操作方法包括：将表示对选择的行的访问数量的第一数据和指示是否刷新所述选择的行的第二相邻行的第二数据存储在所述选择的行的行锤击单元中；当输入激活命令时，基于从与输入地址相对应的行读取的第一数据来选择采样地址；当发布目标刷新命令时，通过确定是否刷新与所述采样地址相对应的目标行的第一相邻行以及基于从所述目标行读取的第二数据确定是否刷新所述目标行的第二相邻行来输出行锤击地址；以及根据所述目标刷新命令来刷新与所述行锤击地址相对应的一行或多行。