[发明专利]一种高压LED制作方法以及高压LED

权利要求书

1.一种高压LED制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成外延结构，所述外延结构包括沿背离所述衬底表面依次排布的N型层、有源层以及P型层；

沿第一方向刻蚀所述外延结构，形成电极图形和沟槽，所述沟槽环绕所述电极图形，其中，所述电极图形的刻蚀沟道裸露所述N型层部分表面，所述沟槽裸露所述衬底部分表面，所述第一方向垂直于所述衬底表面；

形成阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，其中，所述第一阻挡层覆盖所述沟槽侧壁以及所述沟槽裸露的所述衬底部分表面，并沿所述沟槽侧壁延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧，覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面；所述第二阻挡层覆盖所述电极图形刻蚀沟道侧壁以及所述电极图形刻蚀沟道裸露的所述N型层部分表面，并沿所述电极图形刻蚀沟道侧壁延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧，覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面；所述第三阻挡层覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层均不相接；

形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述外延结构背离所述衬底表面的一侧，并覆盖所述第一阻挡层延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分、所述第二阻挡层延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分以及所述第三阻挡层；

形成金属层，所述金属层覆盖所述第二阻挡层，且覆盖所述透明导电层与所述第三阻挡层相对应的部分；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述透明导电层、所述金属层以及所述第一阻挡层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿第一方向刻蚀所述外延结构，形成所述沟槽包括：

沿所述第一方向刻蚀所述外延结构形成第一沟槽，所述第一沟槽裸露所述N型层部分表面；

沿所述第一方向刻蚀所述第一沟槽裸露的所述N型层部分，形成第二沟槽，所述第二沟槽裸露所述衬底部分表面，并且所述第二沟槽与所述第一沟槽相对应，所述第二沟槽和所述第一沟槽组成所述沟槽。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二阻挡层包括多个子阻挡层，所述P型层的折射率为第一预设值，所述绝缘层的折射率为第二预设值；形成所述第二阻挡层包括：

沿背离所述衬底表面的方向依次形成所述多个第二子阻挡层，所述多个第二子阻挡层的折射率由所述第一预设值逐渐变化至所述第二预设值。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该制作方法还包括：

研磨所述衬底背面，将所述衬底减薄至预设厚度；

在所述衬底背面形成布拉格反射层。

5.一种高压LED，其特征在于，包括：

衬底；

外延结构，所述外延结构位于所述衬底表面，包括沿背离所述衬底表面一侧依次排布的N型层、有源层以及P型层；

电极图形和沟槽，所述沟槽环绕所述电极图形，所述电极图形的刻蚀沟道沿第一方向延伸裸露所述N型层部分表面，所述沟槽沿所述第一方向延伸裸露所述衬底部分表面，所述第一方向垂直于所述衬底表面；

阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，其中，所述第一阻挡层覆盖所述沟槽侧壁以及所述沟槽裸露的所述衬底部分表面，并沿所述沟槽侧壁延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧，覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面；所述第二阻挡层覆盖所述电极图形刻蚀沟道侧壁以及所述电极图形刻蚀沟道裸露的所述N型层部分表面，并沿所述电极图形刻蚀沟道侧壁延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧，覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面；所述第三阻挡层覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面，并且所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层均不相接；

透明导电层，所述透明导电层覆盖所述外延结构背离所述衬底表面的一侧，并覆盖所述第一阻挡层延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分、所述第二阻挡层延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分以及所述第三阻挡层；

金属层，所述金属层覆盖所述第二阻挡层，且覆盖所述透明导电层与所述第三阻挡层相对应的部分；

绝缘层，所述绝缘层覆盖所述透明导电层、所述金属层和所述第一阻挡层。