[发明专利]一种高压LED制作方法以及高压LED

说明书

本申请实施例公开了一种高压LED制作方法以及高压LED，该制作方法包括：提供衬底；在衬底表面形成外延结构；刻蚀外延结构形成电极图形和沟槽；形成第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；形成透明导电层、金属层和绝缘层；第一阻挡层覆盖沟槽侧壁、沟槽裸露的衬底以及外延结构部分表面，避免透明导电层与沟槽裸露的P型层、有源层和N型层接触；第二阻挡层覆盖电极图像的刻蚀沟道侧壁、刻蚀沟道裸露的N型层和外延结构部分表面，避免透明导电层与电极图形刻蚀沟道裸露的P型层、有源层和N型层接触，有助于降低形成透明导电层时的线宽，并且绝缘层覆盖第一阻挡层，增加覆盖沟槽的钝化层的厚度，抑制高压LED漏电，并提高抗湿气侵蚀能力。

技术领域

本申请涉及LED技术领域，尤其涉及一种高压LED制作方法以及利用该制作方法制得的高压LED。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Doide，简称LED)是一种半导体发光器件，利用半导体PN结电致发光原理将电能转换为光能，具有体积小、功耗低、寿命长等优点，现已广泛用于各种场景照明、背光、车灯等领域。

随着LED行业的不断发展，一种新型高压(High voltage，简称HV)LED芯片结构备受关注，与普通LED相比，高压LED能够减小封装成本，减少元件数和焊点数，提高器件可靠性，并且还能够在小电流的驱动下，达到较高的功率。目前，市场上的高压LED由于沟槽的角度较垂直，且覆盖沟槽的绝缘层厚度较薄，影响了绝缘层对沟槽的绝缘覆盖，容易出现漏电，影响高压LED的性能。另外，现有方法在制作高压LED的过程中，形成透明导电层时，存在透明导电层线宽较大的问题，影响发光。因此，提供一种能够增强对沟槽的绝缘覆盖性以及降低透明导电层线宽的高压LED制作方法，成为了本领域技术人员的研究重点。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种高压LED的制作方法，利用该制作方法制作LED时，能够增强对沟槽的绝缘覆盖以及降低透明导电层线宽，改善高压LED的性能。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种高压LED制作方法，该制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成外延结构，所述外延结构包括沿背离所述衬底表面依次排布的N型层、有源层以及P型层；

沿第一方向刻蚀所述外延结构，形成电极图形和沟槽，所述沟槽环绕所述电极图形，其中，所述电极图形的刻蚀沟道裸露所述N型层部分表面，所述沟槽裸露所述衬底部分表面，所述第一方向垂直于所述衬底表面；

形成阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，其中，所述第一阻挡层覆盖所述沟槽侧壁以及所述沟槽裸露的所述衬底部分表面，并沿所述沟槽侧壁延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧，覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面；所述第二阻挡层覆盖所述电极图形刻蚀沟道侧壁以及所述电极图形刻蚀沟道裸露的所述N型层部分表面，并沿所述电极图形刻蚀沟道侧壁延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧，覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面；所述第三阻挡层覆盖所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分表面，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层均不相接；

形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述外延结构背离所述衬底表面的一侧，并覆盖所述第一阻挡层延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分、所述第二阻挡层延伸至所述外延结构背离所述衬底表面一侧的部分以及所述第三阻挡层；

形成金属层，所述金属层覆盖所述第二阻挡层，且覆盖所述透明导电层与所述第三阻挡层相对应的部分；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述透明导电层、所述金属层以及所述第一阻挡层。

可选的，沿第一方向刻蚀所述外延结构，形成所述沟槽包括：