[发明专利]一种双面镜镀膜玻璃制作方法在审
申请号: | 202210448684.6 | 申请日: | 2022-04-26 |
公开(公告)号: | CN114853359A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 林伯淳 | 申请(专利权)人: | 台玻天津玻璃有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 范建良 |
地址: | 301609 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 镀膜 玻璃 制作方法 | ||
1.一种双面镜镀膜玻璃制作方法,其特征在于:双面镜镀膜玻璃包括玻璃基板,还包括依次叠加设置在所述玻璃基板表面的第一电介质层、第二电介质层、金属吸收层、第三电介质层和第四电介质层;具体制作方法包括如下步骤:
S1,选择4-6mm的透明玻璃基板,按照预设尺寸对所述玻璃基板进行预制加工成型,并对玻璃基板进行清洗;
S2,选择磁控溅射镀膜设备,在玻璃基板上溅射第一电介质层,所述第一电介质层的厚度为20nm~80nm;第一电介质层为高折射率的电介质膜层,折射率范围在2.0-2.7,所述第一电介质层为Si3N4、AZO、TiO2、TiN、Nb2O5、ZrO2中的一种或几种;
S3,选择磁控溅射镀膜设备,在第一电介质层上溅射第二电介质层,所述第二电介质层的厚度为50nm~100nm;所述第二电介质层为低折射率的电介质膜层,折射率范围在1.35-1.6,第二电介质层为SiO2、SiNxOy、Al2O3、MgF2中的一种或几种;
S4,选择磁控溅射镀膜设备,在第二电介质层上溅射金属吸收层,所述金属吸收层为Cr、CrNx、NiCr、NiCrOx或SST中的一种或几种;所述金属吸收层的厚度为40nm~70nm;
S5,选择磁控溅射镀膜设备,在金属吸收层上溅射第三电介质层,所述第三电介质层为低折射率的电介质膜层,折射率范围在1.35-1.6,第三电介质层为SiO2、SiNxOy、Al2O3、MgF2中的一种或几种;所述第三电介质层的厚度为50nm~100nm;
S5,选择磁控溅射镀膜设备,在第三电介质层上溅射第四电介质层,所述第四电介质层为高折射率的电介质膜层,折射率范围在2.0-2.7,第四电介质层为Si3N4、AZO、TiO2、TiN、Nb2O5、ZrO2中的一种或几种;所述第四电介质层的厚度为50nm~100nm;第四电介质层溅射完成后得到双面镜镀膜玻璃。
2.如权利要求1所述的一种双面镜镀膜玻璃制作方法,其特征在于:所述玻璃基板为5mm的制镜级浮法原片。
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