[发明专利]差分对的NBTI保护

权利要求书

1.一种系统，包括：

差分输入器件，所述差分输入器件具有第一输入和第二输入；

窗口发生器，所述窗口发生器被配置为在第一输出处输出高于参考电压的第一电压和在第二输出处输出低于所述参考电压的第二电压；

多路复用器，所述多路复用器耦合到所述第一输出和所述第二输出，所述多路复用器被配置为接收所述第一电压、所述第二电压和输入电压；以及

选择器，所述选择器耦合到所述多路复用器并被配置为基于所述输入电压的值来选择所述第一电压、所述第二电压或所述输入电压，其中，所述选择器被配置为使所述多路复用器向所述差分输入器件的所述第一输入提供所述选择的电压，其中，所述电压源将所述参考电压提供给所述差分输入器件的所述第二输入。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述第一电压高于所述参考电压预定量，而所述第二电压低于所述参考电压所述预定量。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述选择器被配置为如果所述输入电压的所述值在所述第一电压和所述第二电压之间，则选择所述输入电压。

4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述选择器被配置为如果所述输入电压高于所述第一电压，则选择所述第一电压。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述选择器被配置为如果所述输入电压低于所述第二电压，则选择所述第二电压。

6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述多路复用器将所述选择的电压提供给所述差分输入器件中的第一晶体管的第一栅极，并且其中，所述电压源将所述参考电压提供给所述差分输入器件中的第二晶体管的第二栅极。

7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是p沟道金属氧化物硅场效应晶体管。

8.一种系统，包括：

多路复用器，所述多路复用器具有第一输入、第二输入和第三输入；

第一缓冲器，所述第一缓冲器具有耦合到第一电压源的输入和耦合到所述多路复用器的所述第一输入的输出；

第二缓冲器，所述第二缓冲器具有耦合到第二电压源的输入和耦合到所述多路复用器的所述第二输入的输出；

第一系统输入，所述第一系统输入耦合到所述多路复用器的所述第三输入；

窗口比较器，所述窗口比较器包括耦合到所述多路复用器的输出；以及

差分输入器件，所述差分输入器件具有耦合到所述多路复用器的输出的第一晶体管和耦合到第二系统输入的第二晶体管。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述第一缓冲器被配置为接收参考电压并且将高于所述参考电压的第一电压提供给所述多路复用器的所述第一输入。

10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述第二缓冲器被配置为接收所述参考电压并且将低于所述参考电压的第二电压提供给所述多路复用器的所述第二输入。

11.根据权利要求10所述的系统，其中，所述第一系统输入被配置为接收输入电压，并且所述多路复用器被配置为如果所述输入电压在所述第一电压和所述第二电压之间，则将所述输入电压提供给所述第一晶体管。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述多路复用器被配置为如果所述输入电压高于所述第一电压，则将所述第一电压提供给所述第一晶体管。

13.根据权利要求11所述的系统，其中，所述多路复用器被配置为如果所述输入电压低于所述第二电压，则将所述第二电压提供给所述第一晶体管。

14.根据权利要求8所述的系统，其中，所述第一系统输入被配置为接收输入电压，而所述第二系统输入被配置为接收参考电压。