[发明专利]差分对的NBTI保护在审
申请号: | 202210453346.1 | 申请日: | 2022-04-27 |
公开(公告)号: | CN116131823A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | D·V·T·泰伦扎克;M·V·伊万诺夫 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24;H03K19/003;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nbti 保护 | ||
本申请公开了差分对的NBTI保护。在示例中,一种系统(200)包括具有第一输入(128)和第二输入(130)的差分输入器件(126)。该系统(200)包括窗口发生器(102),该窗口发生器被配置为在第一输出处输出高于参考电压的第一电压和在第二输出处输出低于该参考电压的第二电压。该系统(200)包括耦合到第一输出和第二输出的多路复用器(110),该多路复用器被配置为接收第一电压、第二电压和输入电压。该系统(200)包括选择器(118),该选择器耦合到多路复用器(110)并被配置为基于输入电压的值来选择第一电压、第二电压或输入电压,其中选择器(118)被配置为使多路复用器(110)向差分输入器件(126)的第一输入(128)提供所选择的电压,其中电压源向差分输入器件(126)的第二输入(130)提供参考电压。
背景技术
一些电路或器件具有包括一对晶体管的差分输入级。这些输入级出现在比较器、放大器和其他器件中。每个输入耦合到晶体管的栅极。在一些示例中,每个输入级晶体管可以是金属氧化物硅场效应晶体管(“MOSFET”)(诸如n沟道MOSFET(NFET或NMOS)或p沟道MOSFET(PFET或PMOS)。
发明内容
根据描述的示例,一种系统包括具有第一输入和第二输入的差分输入器件。该系统还包括窗口发生器,该窗口发生器被配置为在第一输出处输出高于参考电压的第一电压和在第二输出处输出低于参考电压的第二电压。该系统包括耦合到第一输出和第二输出的多路复用器,该多路复用器被配置为接收第一电压、第二电压和输入电压。该系统还包括耦合到多路复用器并被配置为基于输入电压的值来选择第一电压、第二电压或输入电压的选择器,其中该选择器被配置为使多路复用器向差分输入器件的第一输入提供所选择的电压,其中电压源将参考电压提供给差分输入器件的第二输入。
根据描述的示例,一种系统包括具有第一输入、第二输入和第三输入的多路复用器。该系统还包括第一缓冲器,该第一缓冲器具有耦合到第一电压源的输入和耦合到多路复用器的第一输入的输出。该系统包括第二缓冲器,该第二缓冲器具有耦合到第二电压源的输入和耦合到多路复用器的第二输入的输出。该系统还包括耦合到多路复用器的第三输入的第一系统输入。该系统包括窗口比较器,该窗口比较器包括耦合到多路复用器的输出。该系统还包括差分输入器件,该差分输入器件具有耦合到多路复用器的输出的第一晶体管和耦合到第二系统输入的第二晶体管。
根据描述的示例,一种方法包括向窗口比较器提供输入电压和参考电压。该方法还包括产生高于参考电压的第一电压和低于参考电压的第二电压。该方法包括将输入电压、第一电压和第二电压提供给多路复用器。该方法还包括基于输入电压的值选择第一电压、第二电压或输入电压。该方法包括将所选择的电压提供给差分输入器件的第一输入。该方法还包括将参考电压提供给差分输入器件的第二输入。
附图说明
图1是根据各种示例的负偏置温度不稳定性(NBTI)保护方案的框图。
图2是根据各种示例的NBTI保护方案的示意图。
图3是根据各种示例的电压对时间的曲线图。
图4是根据各种示例的差分输入器件的输入之间的电压偏移的曲线图。
图5是根据各种示例的用于NBTI保护的方法的流程图。
图6是根据各种示例的具有NBTI保护方案的器件的框图。
在附图中使用相同的附图标记或其他附图标记来表示相同或相似(功能和/或结构)的特征。
具体实施方式
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