[发明专利]一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶

说明书

本发明公开了一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，其组分包括聚酰胺酸树脂、碱性催化剂、光产酸剂、溶剂，所述的正性光刻胶组成如下(按重量百分比计，各组分相加为100％)：聚酰胺酸树脂10％‑50％；碱性催化剂0.5％‑10％；光产酸剂0.5％‑10％；溶剂50％‑90％。本发明提供一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，该种光刻胶属于化学放大光刻胶，光敏感性强，以3微米胶厚为例，曝光剂量可以降低至50～70mj/cm²，同时亚胺化的胶厚损失更小，可以大幅提高客户生产效率，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及光刻胶技术领域，更具体的说是涉及一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶。

背景技术

集成电路(IC)封装是集成电路产业链里必不可少的环节。封装是指将通过测试的晶圆加工得到独立芯片的过程，使电路芯片免受周围环境的影响，起着保护芯片、增强导热性能，沟通芯片内部与外部电路等作用，封装测试业已成为我国集成电路的重要组成部分。

在封装中需要用到一种关键性光敏绝缘材料，就是光敏聚酰亚胺，分为正性跟负性两种。在目前的工艺中，正性光敏聚酰亚胺光刻胶普遍采用聚酰胺酸与含有重氮萘醌(DNQ)的光敏化合物搭配，通过曝光改变DNQ的溶解性的方式形成正性图像。但是此种方法的缺陷也很明显，首先是DNQ所需的曝光剂量较大，通常需要150mj/cm²以上，降低了生产效率，其次在后期高温亚胺化的时候，由于DNQ的存在以及较高的添加量会导致超过30％极高的膜厚损失，同时亚胺化需要的温度时间条件也更苛刻通常需要300℃以上。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，其组分包括聚酰胺酸树脂、碱性催化剂、光产酸剂、溶剂，所述的正性光刻胶组成如下(按重量百分比计，各组分相加为100％)：

聚酰胺酸树脂10％-50％；

碱性催化剂0.5％-10％；

光产酸剂0.5％-10％；

溶剂50％-90％。

优选的，所述的主体树脂为聚酰胺酸树脂结构式如下，所述树脂的分子量为10000-100000。

优选的，所述正性光刻胶还含有碱性催化剂，包括四乙基氯化铵、四丁基氯化铵、四乙基四氟硼酸铵、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、N,N-二甲基环己胺、叠氮辛烷、三辛胺等，本发明光刻胶包含以上碱性催化剂中的一种或多种。

优选的，所述正性光刻胶还含有光产酸剂，该光产酸剂是指可以在365nm处感光且产生使碱性催化剂失活的酸性化合物，包括非离子型与离子型，如甲基双氯代甲基三嗪、萘酰亚胺三氟甲磺酸酯、对甲氧基苯基乙腈对甲苯磺酸酯、六氟锑酸硫鎓盐、对甲苯磺酸碘鎓盐等。

优选的，所述正性光刻胶的溶剂采用包括乙二醇甲醚、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、醋酸乙酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或前述溶剂中的至少一种的组合。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明提供一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，该种光刻胶属于化学放大光刻胶，光敏感性强，以3微米胶厚为例，曝光剂量可以降低至50～70mj/cm²，大幅提高客户生产效率，降低生产成本，此外，由于不含DNQ，所以亚胺化的膜厚损失可以降低到20％以下，因为催化剂的存在，亚胺化温度可以降低到200℃。

具体实施方式