[发明专利]一种高频宽温超低损耗铁氧体材料及其制备工艺

说明书

本发明提供一种高频宽温超低损耗铁氧体材料，包括主配方和掺杂物配方，其中主配方的组分和配比为：Fe₂O₃70～72mol％、MnO 20～22mol％、ZnO 6～10mol％各主配方的配比总计为100mol％；相对于所述主配方总量，掺杂物配方中的组分和重量百分比分别为：CaCO₃1～1000PPM、SnO₂100～300PPM、Co₂O₃50～80PPM、Bi₂O₃50～100PPM、纳米SiO₂50～100PPM、CCTO 50～100PPM。本发明的目的在于提供一种在具有高Bs值、高频损耗低的高频宽温超低损耗铁氧体材料。

技术领域

本发明涉及软磁铁氧体磁芯技术领域，特别涉及一种高频宽温超低损耗铁氧体材料。

背景技术

目前，国内从事铁氧体材料生产的企业，其绝大部分产品还处于PC95材料及以下级别。高性能的低损耗铁氧体材料产品较少，并且与国外同类型产品的性能差距较大。至于能够量产的高频低损耗材料更是市场空白，导致了国内自主电源制造业只能生产低端产品，而高端产品则依赖于进口国外知名企业的高频铁氧体磁心材料。这种情况严重制约了我国电子信息产业的发展。更为严重的是，近年来国外不断对我国进行科技制裁，从通信企业到科研类高校、研究机构，均受到严重的冲击。在这样的大环境下，研发我国自主的高频宽温超低功率损耗软磁铁氧体材料，对我国电子信息产业的发展具有重大意义。

因此，需要研究一种在具有高Bs值、高频损耗低的高频宽温超低损耗铁氧体材料。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在具有高Bs值、高频损耗低的高频宽温超低损耗铁氧体材料。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种高频宽温超低损耗铁氧体材料，其特征在于，包括主配方和掺杂物配方，其中主配方的组分和配比为：

Fe₂O₃70～72mol％

MnO 20～22mol％

ZnO 6～10mol％

各主配方的配比总计为100mol％；

相对于所述主配方总量，掺杂物配方中的组分和重量百分比分别为：

CaCO₃1～1000PPM

SnO₂100～300PPM

Co₂O₃50～80PPM

Bi₂O₃50～100PPM

纳米SiO₂50～100PPM

CCTO 50～100PPM。

通过采用上述技术方案，本发明的掺杂物配方中添加了Co₂O₃，Co₂O₃中的金属离子掺杂会替代MnZn铁氧体B位的Fe³⁺和Mn³⁺，从而增加A-B超交换作用，提高材料的耐热性能，拓宽了材料的工作温度，并且提高材料的居里温度，也会提高烧结铁氧体的密度，有效提高材料的饱和磁感应强度。而且在掺杂配方中添加了钛酸铜钙CCTO，当采用CCTO进行掺杂制备铁氧体时，CCTO能富集在MnZn功率铁氧体的晶界时，由于其高电阻率的特性，会减缓晶粒电阻随温度降低的速度，从而延缓了高频损耗随温度的增加速度，使得材料高频损耗能得到有效降低。