[发明专利]具有荧光材料的集成电路结构以及相关方法在审
| 申请号： | 202210457804.9 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115377065A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | S·K·辛格;V·贾因;S·P·阿杜苏米利;S·T·文特罗内;J·A·康塔洛夫斯基;Y·T·尼古 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;牛南辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 荧光 材料 集成电路 结构 以及 相关 方法 | ||
1.一种集成电路IC结构，包括：
位于IC部件上的荧光材料层，其中所述荧光材料层限定用于所述IC结构的识别标记的一部分。
2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述荧光材料层包括位于金属层内的衬里。
3.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述荧光材料层包括位于过孔上的衬里。
4.根据权利要求3所述的IC结构，其中，所述荧光材料层位于所述过孔的难熔金属衬里和所述过孔的绝缘体衬里之间。
5.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述荧光材料层包括位于硅过孔TSV上的衬里，所述TSV与所述IC结构内的电路断开连接。
6.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述IC部件包括半导体衬底，并且其中所述荧光材料层位于被限定在所述半导体衬底的背侧表面内的沟槽内。
7.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述荧光材料层包括多个荧光材料层中的一者，所述多个荧光材料层限定用于所述IC结构的所述识别标记。
8.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述荧光材料层包括化学气相沉积CVD的金刚石。
9.一种验证集成电路IC结构的方法，所述方法包括：
检测IC部件上的荧光材料层，其中所检测到的荧光材料层限定用于所述IC结构的识别标记的一部分；以及
将所述识别标记与用于所述IC结构的验证图进行比较，以验证所述IC结构。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，检测所述IC部件上的所述荧光材料层包括照射金属层的一部分。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，检测所述IC部件上的所述荧光材料层包括照射过孔上的衬里。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所照射的衬里位于所述过孔的难熔金属衬里和所述过孔的绝缘体衬里之间。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，检测所述IC部件上的所述荧光材料层包括照射硅过孔TSV，所述TSV与所述IC结构内的电路断开连接。
14.根据权利要求9所述的方法，其中，检测所述IC部件上的所述荧光材料层包括照射半导体衬底的背侧表面。
15.根据权利要求9所述的方法，其中，检测所述荧光材料层包括检测多个荧光材料层，所述多个荧光材料层限定用于所述IC结构的所述识别标记。
16.一种集成电路IC结构，包括：
位于衬底上的IC部件；以及
位于所述IC部件上的荧光材料层，其中所述荧光材料层限定用于所述IC结构的识别标记的一部分。
17.根据权利要求16所述的IC结构，其中，所述IC部件包括金属层，并且其中所述荧光材料层包括位于所述金属层的层间电介质ILD上的衬里。
18.根据权利要求16所述的IC结构，其中，所述IC部件包括过孔，并且其中所述荧光材料层包括在所述过孔的难熔金属衬里和所述过孔的绝缘体衬里之间的中间衬里。
19.根据权利要求16所述的IC结构，其中，所述IC部件包括半导体衬底，并且其中所述荧光材料层位于被限定在所述半导体衬底的背侧表面内的沟槽内。
20.根据权利要求16所述的IC结构，其中，所述荧光材料层包括化学气相沉积CVD的金刚石。
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