[发明专利]具有荧光材料的集成电路结构以及相关方法

说明书

本公开提供了一种具有荧光材料的集成电路IC结构以及相关方法。根据本公开的IC结构可以包括位于IC部件上的荧光材料层。荧光材料层限定用于IC结构的识别标记的一部分。

技术领域

本公开的实施例一般地涉及集成电路(IC)。更具体地说，本公开的实施例提供一种结构以及用于验证这种结构的相关方法。

背景技术

在微电子工业中，某些参与者修改芯片的能力越来越受到关注。未经授权的修改的影响范围从无害影响(例如，显示器上的不连贯数据)到严重故障(例如，不稳定的起搏器时钟)。在某些情况下，这些影响可能难以与随机错误和/或老化导致的劣化区分开。随着全球制造商之间的合作对制造效率日益重要，对制造商和客户而言，在供应链中对敏感事件和/或传输的控制也变得越来越重要。

发明内容

本公开的方面提供了一种集成电路(IC)结构，包括：位于IC部件上的荧光材料层，其中所述荧光材料层限定用于所述IC结构的识别标记的一部分。

本公开的另外的方面提供了一种验证集成电路(IC)结构的方法，所述方法包括：检测IC部件上的荧光材料层，其中所检测到的荧光材料层限定用于所述IC结构的识别标记的一部分；以及将所述识别标记与用于所述IC结构的验证图进行比较，以验证所述IC结构。

本公开的其他方面提供了一种集成电路(IC)结构，包括：位于衬底上的IC部件；以及位于所述IC部件上的荧光材料层，其中所述荧光材料层限定用于所述IC结构的识别标记的一部分。

附图说明

结合描述本公开的各种实施例的附图根据以下对本公开的各个方面进行的详细描述，将更容易理解本公开的这些和其他特征，其中：

图1示出了根据本公开的实施例的具有荧光材料的IC结构和用于验证IC结构的工具的平面图。

图2示出了根据本公开的实施例的其中可以形成荧光材料的IC结构的一部分的截面图。

图3示出了根据本公开的实施例的在IC结构上形成荧光材料的截面图。

图4示出了根据本公开的实施例的IC结构的进一步处理和照射以检测荧光材料的截面图。

图5示出了根据本公开的实施例的在过孔开口内形成荧光材料的截面图。

图6示出了根据本公开的实施例的用荧光材料和过孔金属填充过孔开口并照射以检测荧光材料的截面图。

图7示出了根据本公开的进一步的实施例的用非金属过孔填充过孔开口的截面图。

图8示出了根据本公开的实施例的IC结构的截面图，其中具有荧光材料的过孔与电路断开电连接。

图9示出了根据本公开的实施例的具有待被荧光材料填充的沟槽的半导体衬底的截面图。

图10示出了根据本公开的实施例的用荧光材料填充沟槽并照射荧光材料的截面图。

图11示出了根据本公开的实施例的用于形成、检测和验证具有荧光材料的IC结构的方法的示例性流程图。

应注意，本公开的附图不一定按比例绘制。附图仅旨在描绘本公开的典型方面，因此不应视为限制本公开的范围。在附图中，相似的标号表示附图之间相似的元素。

具体实施方式

在下面的描述中，参考了形成本发明一部分的附图，并且其中以图示的方式示出了可以实践本教导的特定示例性实施例。这些实施例的描述足够详细以使本领域技术人员能够实践本教导，应当理解，在不脱离本教导的范围的情况下，可以使用其他实施例并且可以进行更改。因此，以下描述仅是说明性的。