[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

位于衬底一侧的有源层、遮光层和栅极，所述遮光层位于所述衬底与所述有源层之间，所述有源层在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠；

第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；

源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层，所述源极在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影至少部分不重叠；

第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和

漏极，包括第一部分和与所述第一部分连接且被配置为与第一电极连接的第二部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层，所述第二部分位于所述第二层间电介质层远离所述第一层间电介质层的一侧，其中：

所述第二部分被配置为与所述第一电极连接的区域在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述漏极的第二部分在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影至少部分不重叠。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述漏极的第二部分在所述衬底上的正投影位于所述源极在所述衬底上的正投影与所述第一部分在所述衬底上的正投影之间。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的薄膜晶体管，其中，所述漏极在衬底上的投影为第一投影，所述栅极在衬底上的投影为第二投影，所述第一投影在参考方向上的长度大于所述第二投影在所述参考方向上的长度。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包括与所述源极直接接触的第一接触部分、以及与所述漏极直接接触的第二接触部分，所述第二部分被配置为与所述第一电极连接的区域在所述衬底上的正投影位于所述第一接触部分在所述衬底上的正投影与所述第二接触部分在所述衬底上的正投影之间。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：位于所述衬底与所述有源层之间的缓冲层，所述遮光层位于所述衬底与所述缓冲层之间。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括栅极电介质层，其中：

所述栅极电介质层位于所述有源层远离所述衬底的一侧；

所述栅极位于所述栅极电介质层远离所述有源层的一侧；

所述第一层间电介质层位于所述栅极电介质层远离所述衬底的一侧、且覆盖所述栅极。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层的材料包括氧化物半导体。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层在所述衬底上的正投影沿参考方向的长度大于所述遮光层在所述衬底上的正投影沿所述参考方向的长度。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层在所述衬底上的正投影沿参考方向的长度大于所述漏极在所述衬底上的正投影沿所述参考方向的长度。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二部分被配置为与所述第一电极连接的区域在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

12.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，沿所述参考方向上，所述第一接触部分在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影之间的距离大于所述第二接触部分在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影之间的距离。

13.一种阵列基板，包括：

如权利要求1-12任意一项所述的薄膜晶体管。