[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置

说明书

本公开提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。所述薄膜晶体管包括：位于衬底一侧的有源层；第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层；第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和漏极，包括第一部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层。

本申请是申请号为201980000094.3的原申请(申请日为2019年1月29日，发明名称：薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置)的分案申请。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

为了满足高分辨率的显示需求，显示面板的PPI(Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)需要越来越高。尤其是基于VR(Virtual Reality，虚拟现实)技术的显示产品对分辨率的要求更加苛刻。

发明内容

根据本公开实施例的一方面，提供一种薄膜晶体管，包括：位于衬底一侧的有源层、遮光层和栅极，所述遮光层位于所述衬底与所述有源层之间，所述有源层在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影重叠；第一层间电介质层，位于所述有源层远离所述衬底的一侧；源极，贯穿所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层，所述源极在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影至少部分不重叠；第二层间电介质层，位于所述第一层间电介质层远离所述有源层的一侧、且覆盖所述源极；和漏极，包括第一部分和与所述第一部分连接且被配置为与第一电极连接的第二部分，所述第一部分贯穿所述第二层间电介质层和所述第一层间电介质层、且连接到所述有源层，所述第二部分位于所述第二层间电介质层远离所述第一层间电介质层的一侧，其中：所述第二部分被配置为与所述第一电极连接的区域在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

在一些实施例中，所述漏极的第二部分在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影至少部分不重叠。

在一些实施例中，所述漏极的第二部分在所述衬底上的正投影位于所述源极在所述衬底上的正投影与所述第一部分在所述衬底上的正投影之间。

在一些实施例中，所述漏极在衬底上的投影为第一投影，所述栅极在衬底上的投影为第二投影，所述第一投影在参考方向上的长度大于所述第二投影在所述参考方向上的长度。

在一些实施例中，所述有源层包括与所述源极直接接触的第一接触部分、以及与所述漏极直接接触的第二接触部分，所述第二部分被配置为与所述第一电极连接的区域在所述衬底上的正投影位于所述第一接触部分在所述衬底上的正投影与所述第二接触部分在所述衬底上的正投影之间。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述衬底与所述有源层之间的缓冲层，所述遮光层位于所述衬底与所述缓冲层之间。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管包括栅极电介质层，其中：所述栅极电介质层位于所述有源层远离所述衬底的一侧；所述栅极位于所述栅极电介质层远离所述有源层的一侧；所述第一层间电介质层位于所述栅极电介质层远离所述衬底的一侧、且覆盖所述栅极。

在一些实施例中，所述有源层的材料包括氧化物半导体。

在一些实施例中，所述有源层在所述衬底上的正投影沿参考方向的长度大于所述遮光层在所述衬底上的正投影沿所述参考方向的长度。

在一些实施例中，所述有源层在所述衬底上的正投影沿参考方向的长度大于所述漏极在所述衬底上的正投影沿所述参考方向的长度。

在一些实施例中，所述第二部分被配置为与所述第一电极连接的区域在所述衬底上的正投影与所述遮光层在所述衬底上的正投影至少部分重叠。