[发明专利]光罩、触控模组、显示模组、网格导电结构及其制备方法在审
申请号: | 202210468802.X | 申请日: | 2022-04-29 |
公开(公告)号: | CN114914252A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 黄威龙;薛玉芳;宗敏莲;王心伟;褚海平 | 申请(专利权)人: | 无锡变格新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01B5/14;G06F3/041 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 214174 江苏省无锡市惠山区惠山经济开发区堰新路311号1号*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模组 显示 网格 导电 结构 及其 制备 方法 | ||
本说明书实施方式提供一种光罩、触控模组、显示模组、网格导电结构及其制备方法。所述光罩呈网格图案;其中,所述网格图案包括多个第一带状图案和多个第二带状图案;所述第一带状图案沿着第一方向连续等宽延伸;所述第二带状图案沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸,相邻所述第一带状图案之间设置有多个沿着第一方向排布的第二带状图案;沿所述第二方向,所述第二带状图案具有主体部和与所述第一带状图案连接的端部,所述端部的宽度小于所述主体部的宽度。通过端部宽度小于主体部的宽度,可以使得更多区域被曝光,有利于缓解相交结构相交处尺寸偏大的问题。
技术领域
本说明书涉及导电网格制备领域,具体涉及一种光罩、触控模组、显示模组、网格导电结构及其制备方法。
背景技术
黄光工艺、刻蚀工艺作为一种图案化手段,广泛应用在电子产品的制备过程中。通过情况下,在黄光工艺的应用过程中,经过曝光、显影、蚀刻等步骤,对导电材料进行图案化。然而,针对具有相交图案的结构,受限于形状特点、工艺误差等多种条件的影响,往往使得最终得到的产品图案与设计不符,交点处图案尺寸往往会大于设计尺寸,导致产品性能也低于设计预期。
发明内容
有鉴于此,本说明书多个实施方式致力于提供一种光罩、触控模组、显示模组、网格导电结构及其制备方法,有利于降低相交图案交点处尺寸。
本说明书实施方式提供一种光罩,所述光罩呈网格图案;其中,所述网格图案包括多个第一带状图案和多个第二带状图案;所述第一带状图案沿着第一方向连续等宽延伸;所述第二带状图案沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸,相邻所述第一带状图案之间设置有多个沿着第一方向排布的第二带状图案;沿所述第二方向,所述第二带状图案具有主体部和与所述第一带状图案连接的端部,所述端部的宽度小于所述主体部的宽度。
本说明书实施方式提供一种光罩,所述光罩呈网格图案;其中,所述网格图案包括多个第一带状图案和多个第二带状图案;所述第一带状图案沿着第一方向连续等宽延伸;所述第二带状图案沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸,相邻所述第一带状图案之间设置有多个沿着第一方向排布的第二带状图案;沿所述第二方向,所述第二带状图案具有主体部和至少一个端部,所述端部位于所述主体部和所述第一带状图案之间,所述端部与所述第一带状图案的之间具有间距,所述间距的尺寸为0.035-0.0625mm。
本说明书实施方式提供一种网格导电结构,包括:同层设置且相互连接的第一走线和第二走线;所述第一走线沿着第一方向连续等宽延伸;所述第二走线沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸,相邻所述第一走线之间设置有多个沿着第一方向排布的第二走线,沿所述第一方向,各所述第一走线与多个所述第二走线相邻;沿所述第二方向,所述第二走线具有主体部走线和与所述第一走线连接的端部走线,所述端部走线的宽度小于或等于所述主体部走线的宽度。
本说明书实施方式提供一种触控模组,包括:上述网格导电结构。
本说明书实施方式提供一种显示模组,包括:上述触控模组。
本说明书实施方式提供一种网格导电结构的制备方法,包括:在导电材料表面设置光阻材料;将上述任一项所述的光罩设置在所述光阻材料上,对所述光阻材料进行曝光显影处理,形成图案化光阻层;其中,所述图案化光阻层包括多个第一方向光阻和多个第二方向光阻;所述第一方向光阻沿着第一方向连续延伸;所述第二方向光阻沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸,相邻所述第一方向光阻之间设置有多个沿着第一方向排布的第二方向光阻,沿所述第一方向,各所述第一方向光阻与多个所述第二方向光阻相邻;沿所述第二方向,所述第二方向光阻具有光阻主体部和光阻端部,所述光阻端部位于所述光阻主体部和所述第一方向光阻之间,所述光阻端部的宽度小于或等于所述光阻主体部的宽度;刻蚀所述导电材料形成连续的网格导电结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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