[发明专利]一种紫外发光二极管结构在审
| 申请号： | 202210469525.4 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114937727A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 阚钦 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 结构 | ||
1.一种紫外发光二极管结构，其特征在于，包括：
衬底和依次设置于所述衬底上的n型半导体层、发光活性层和p型半导体层；
通道，所述通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；
N电极，所述N电极设置于所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多面连接。
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管结构，其特征在于：所述通道的数量为多个，多个所述通道沿所述p型半导体层的水平方向布设。
3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管结构，其特征在于：所述N电极上设置有多个端部，多个端部分别穿过每个所述通道与所述n型半导体层多面连接。
4.根据权利要求1所述的紫外发光二极管结构，其特征在于：所述通道沿所述p型半导体层的竖直方向设置。
5.根据权利要求1所述的紫外发光二极管结构，其特征在于：所述通道包括相互连通的第一通道和第二通道，穿过所述p型半导体层、所述发光活性层和部分所述n型半导体层的通道为第一通道，穿过另一部分所述n型半导体层的通道为第二通道，所述第一通道的直径大于所述第二通道的直径。
6.根据权利要求5所述的紫外发光二极管结构，其特征在于：所述第一通道和所述第二通道的横截面为六边形或圆形。
7.根据权利要求5所述的紫外发光二极管结构，其特征在于：位于所述第二通道内的所述N电极与所述n型半导体的底面和侧面连接，从而形成多面连接。
8.根据权利要求1所述的紫外发光二极管结构，其特征在于：所述紫外发光二极管结构还包括缓冲层，所述缓冲层设置于所述衬底与所述n型半导体层之间。
9.根据权利要求1所述的紫外发光二极管结构，其特征在于：所述衬底的材质为蓝宝石或者铝氮。
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