[发明专利]一种紫外发光二极管结构

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种紫外发光二极管结构，该紫外发光二极管结构，包括：衬底和依次设置于衬底上的n型半导体层、发光活性层和p型半导体层；通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；所述N电极设置于所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多面连接。本申请中，所述通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；所述N电极设置于所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多面连接，由于N电极能够通过通道与n型半导体层接触，增加了N电极的接触面积，且无需减少大量的发光活性层的面积，能够保证亮度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种紫外发光二极管结构。

背景技术

如图1所示，二极管结构包括：衬底1及衬底1上依次设置的缓冲层2、n型半导体层3、发光活性层4和p型半导体层5，在生产时为了连接N电极，需要刻蚀部分p和发光活性层，直到裸露部分n型半导体层3，并在p型半导体层5和n型半导体层3上分别制作P电极8和N电极9。

N电极9面积的大小影响器件的电压，为了增加N电极9需要蚀刻掉大面积的p型半导体层5及发光活性层4再在n型半导体层3上设置N电极9。特别在一些高阻值发光材料中，为了降低电压需要增大N电极9的面积，增大N电极9的面积就要减少大量的发光活性层4的面积，会影响亮度。比如深紫外发光二极管的半导体的n型半导体层3的材质为铝镓氮，电阻率更高，会更加影响亮度。

发明内容

(一)本发明所要解决的技术问题之一是：现有增大N电极的面积会影响紫外发光二极管结构的亮度问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种紫外发光二极管结构，包括：衬底和依次设置于所述衬底上的n型半导体层、发光活性层和p型半导体层；

通道，所述通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；

N电极，所述N电极设置于所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多面连接。

根据本发明的一个实施例，所述通道的数量为多个，多个所述通道沿所述p型半导体层的水平方向布设。

根据本发明的一个实施例，所述N电极上设置有多个端部，多个端部分别穿过每个所述通道与所述n型半导体层多面连接。

根据本发明的一个实施例，所述通道沿所述p型半导体层的竖直方向设置。

根据本发明的一个实施例，所述通道包括相互连通的第一通道和第二通道，穿过所述p型半导体层、所述发光活性层和部分所述n型半导体层的通道为第一通道，穿过另一部分所述n型半导体层的通道为第二通道，所述第一通道的直径大于所述第二通道的直径。

根据本发明的一个实施例，所述第一通道和所述第二通道的横截面为六边形或圆形。

根据本发明的一个实施例，位于所述第二通道内的所述N电极与所述n型半导体的底面和侧面连接，从而形成多面连接。

根据本发明的一个实施例，所述紫外发光二极管结构还包括缓冲层，所述缓冲层设置于所述衬底与所述n型半导体层之间。

根据本发明的一个实施例，所述衬底的材质为蓝宝石或者铝氮。

本发明的有益效果：本申请提供的紫外发光二极管结构中，所述通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；所述N电极设置于所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多面连接，由于N电极能够通过通道与n型半导体层接触，增加了N电极的接触面积，且无需减少大量的发光活性层的面积，能够保证亮度。

附图说明

本发明上述和/或附加方面的优点从结合下面附图对实施例的描述中将变的明显和容易理解，其中：