[发明专利]一株耐镉且能吸附镉的弯孢菌菌株及其应用在审
| 申请号： | 202210471437.8 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114907987A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 罗利利;李智;曾小燕;张乐阳;徐钰青 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | C12N1/14 | 分类号： | C12N1/14;C12N1/02;C02F3/34;C02F101/20;C12R1/645 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人： | 张建新 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一株耐镉 吸附 弯孢菌 菌株 及其 应用 | ||
1.一株耐镉且能吸附镉的弯孢菌菌株，命名为弯孢菌CLD001（
2.根据权利要求1所述的耐镉且能吸附镉的弯孢菌菌株，其特征在于：所述菌株ITS序列如SEQ ID No.3所示。
3.根据权利要求1所述的耐镉且能吸附镉的弯孢菌菌株的应用，其特征在于：所述菌株用于吸附镉。
4.根据权利要求1所述的耐镉且能吸附镉的弯孢菌菌株的分离纯化方法，包括以下步骤：
（1）菌株的初筛：将从水稻种子中分离出的菌株接种到含氯化镉的固体平板培养基上筛选培养；
（2）菌株的复筛：在无菌条件下，挑取所述固体平板培养基上各个单菌落并分别划线于具有浓度梯度的PDA氯化镉固体平板培养基上，筛选耐镉能力强的菌株，将得到的菌株在平板上划线转接3次以上进行菌株纯化，得到所述耐镉且能吸附镉的弯孢菌菌株。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：在步骤（1）中，所述含氯化镉的固体平板培养基中氯化镉的浓度为25 mmol/L。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：在步骤（1）中，培养温度为28℃，培养时间为4~8 d。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：在步骤（2）中，所述具有浓度梯度的PDA氯化镉固体平板培养基的浓度梯度为10 mmol/L、25 mmol/L和50 mmol/L。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：在步骤（2）中，培养温度为28℃，培养时间为10~15 d。
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