[发明专利]一种神经元信息处理方法、装置、芯片以及存储介质在审

专利信息
申请号: 202210473210.7 申请日: 2022-04-29
公开(公告)号: CN114742213A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 何伟;祝夭龙 申请(专利权)人: 北京灵汐科技有限公司
主分类号: G06N3/06 分类号: G06N3/06
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 赵皓天
地址: 100080 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 神经元 信息处理 方法 装置 芯片 以及 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种神经元信息处理方法,应用于芯片,其特征在于,所述芯片通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元;所述方法包括:

获取所述至少一个神经元中每一所述神经元的当前膜电位;

响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同,关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息;

响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同,丢弃所述当前膜电位。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述神经元信息包括以下至少一项:释放阈值、泄漏值、静息电位。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述至少一个神经元的神经元信息按照神经元类型预先存储于所述芯片内;

所述响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同,关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息,包括:

响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同,关联存储所述当前膜电位与所述神经元对应的神经元类型标识;

响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同,丢弃所述当前膜电位,所述方法包括:

响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同,丢弃所述当前膜电位,存储所述神经元对应的神经元类型标识。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

响应于存储目标神经元的膜电位,将存储的所述目标神经元的膜电位确定为所述目标神经元的当前膜电位;

响应于未存储目标神经元的膜电位,将所述目标神经元对应的静息电位确定为所述目标神经元的当前膜电位。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述至少一个神经元的神经元信息按照神经元类型预先存储于所述芯片内;所述芯片内存储了所述至少一个神经元的神经元类型标识;

所述响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同,关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息,包括:

响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同,存储所述神经元的编号标识和所述当前膜电位,并将存储的所述编号标识和所述当前膜电位,与所述神经元的神经元类型标识相关联。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括:

响应于存储目标神经元的编号标识,将与所述目标神经元的编号关联存储的膜电位确定为所述目标神经元的当前膜电位;

响应于未存储目标神经元的编号标识,将所述目标神经元对应的静息电位确定为所述目标神经元的当前膜电位。

7.根据权利要求1-6任一所述的方法,其特征在于,所述关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息,包括:

基于预先设置的神经元编号标识,顺序关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片包括众核芯片;所述神经元包括脉冲神经网络中的神经元。

9.一种神经元信息处理装置,应用于芯片,其特征在于,所述芯片通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元;所述装置包括:

获取模块,用于获取所述至少一个神经元中每一所述神经元的当前膜电位;

存储模块,用于响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同,关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息;

响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同,丢弃所述当前膜电位。

10.一种芯片,其特征在于,所述芯片通过其包括的至少一个计算核模拟至少一个神经元;其中,

所述计算核,用于获取所述至少一个神经元中每一所述神经元的当前膜电位;

响应于所述当前膜电位与所述神经元的静息电位不同,关联存储所述当前膜电位与所述神经元的神经元信息;

响应于所述当前膜电位与所述静息电位相同,丢弃所述当前膜电位。

11.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质存储有程序,所述程序用于使芯片计算核执行如权利要求1-8任一所述的神经元信息处理方法。

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