[发明专利]一种对三联苯有机闪烁单晶体的制备方法

权利要求书

1.一种对三联苯有机闪烁晶体的制备方法，其特征在于，该方法包括如下：

S1设计单层坩埚；将单层坩埚形状设计为空腔结构：上端为桶状，尺寸定位φ12mm×200mm，下部呈漏斗且漏斗颈为直径渐小的锥状尖端，尖端封闭，锥状尖端半锥角根据设备情况设定为30°，漏斗与漏斗颈轴向总长度为3～5mm，桶状结构的顶部设有毛细管连通作为加料口和抽真空口；

S2原料装填；在手套箱中将预先准备好的纯度为99％的对三联苯原料装填入制备好的坩埚内，注意坩埚尖端部分要填充紧实，避免出现空隙；在装料完成后，将坩埚安置于分子真空泵上，抽真空至10^-4Pa，并进行焊封；

S3坩埚焊封；在坩埚内真空度达到生长要求后，对坩埚进行焊封，在焊封之前采用浸冷水的湿布包裹住漏斗以及漏斗颈的部分，使用氧炔焰法来焊封坩埚；

S4生长工艺参数设计；封装好坩埚之后，调制生长炉温场，调制温度场梯度为4～6℃/cm，自上而下温度逐渐降低，对应的高温区温度不超过220℃，低温区最低温度设定为180℃，将单层坩埚对应的桶状位置置于生长炉高温区位置，待原料全部熔化后，设定好坩埚下降速度为0.5mm/h自上而下自高温区向低温区移动开始晶体生长，最终生长出尺寸为φ12mm×200mm的对三联苯单晶体；

S5单晶样品制备；晶体生长完成后使用金刚石刀将坩埚缓慢切割开，避免晶体裂纹产生，随后将晶体取出。选取出生长晶体单晶区，首先使用金刚石切割机切除尾端多晶部分；随后调慢切割速度，在单晶区中切割出单晶片。