[发明专利]一种倒角方法在审
申请号: | 202210481041.1 | 申请日: | 2022-05-05 |
公开(公告)号: | CN114734333A | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 眭旭;郭钰;刘春俊;王波;彭同华;杨建 | 申请(专利权)人: | 北京天科合达半导体股份有限公司 |
主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24B1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 韩静粉 |
地址: | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒角 方法 | ||
1.一种倒角方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)根据待加工晶片的材质选择与所述待加工晶片适配的砂轮类型;
2)将所述待加工晶片和选择的所述砂轮均安装于倒角装置上;
3)将所述待加工晶片和所述砂轮进行原点对刀操作;
4)在所述倒角装置上设置所述砂轮的运动方向为第一方向和第二方向,同时设置所述待加工晶片的运动方向为第三方向;
根据所述待加工晶片的不同材质,设置所述砂轮的转速为不同转速;
根据所述待加工晶片的不同的轮廓形貌,在所述倒角装置上设置不同的加工参数,根据不同的所述加工参数能够计算所述砂轮沿所述第一方向运动的第一目标距离和第一目标速度,所述砂轮沿所述第二方向运动的第二目标距离和第二目标速度,同时能够计算所述待加工晶片沿所述第三方向运动的第三目标距离和第三目标速度;
5)控制所述砂轮以所述第一目标速度沿所述第一方向运动所述第一目标距离,控制所述待加工晶片以所述第三目标速度沿所述第三方向运动所述第二目标距离,以对所述待加工晶片的原点至所述待加工晶片上端面的位置进行倒角;
6)控制所述砂轮和所述待加工晶片均回到原点初始位置;
7)控制所述砂轮以所述第二目标速度沿所述第二方向运动所述第二目标距离,控制所述待加工晶片以所述第三目标速度沿所述第三方向运动所述第三目标距离,以对所述待加工晶片的原点至所述待加工晶片下端面的位置进行倒角;
8)控制所述砂轮和所述待加工晶片均回到原点初始位置。
2.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述待加工晶片的倒角为T型倒角。
3.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述待加工晶片的倒角为R型倒角。
4.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述待加工晶片的倒角为不对称倒角。
5.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述砂轮为金属结合剂金刚石砂轮,或为陶瓷结合剂金刚石砂轮,或为树脂结合剂金刚石砂轮;
所述砂轮的金刚石颗粒度为300#~3000#。
6.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述步骤3)中,当所述砂轮沿第一方向运动时,所述砂轮沿顺时针方向自转;当所述砂轮沿所述第二方向运动时,所述砂轮沿逆时针方向自转。
7.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述步骤4)中,所述加工参数包括所述待加工晶片倒角后的晶片的面幅尺寸,所述待加工晶片倒角后的晶片的半径,和所述待加工晶片倒角后的晶片的面幅和平面的夹角。
8.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述步骤4)中,所述加工参数包括所述待加工晶片倒角后的晶片端面长度。
9.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述步骤4)中,所述第一目标距离和所述第二目标距离相同,且所述第一目标速度和所述第二目标速度相同;或所述第一目标距离和所述第二目标距离不同,且所述第一目标速度和所述第二目标速度不同。
10.根据权利要求1所述的倒角方法,其特征在于,所述步骤4)中,所述砂轮的转速为1000rpm~5000rpm,所述待加工晶片的转速为1rpm~280rpm。
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