[发明专利]一种倒角方法在审
申请号: | 202210481041.1 | 申请日: | 2022-05-05 |
公开(公告)号: | CN114734333A | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 眭旭;郭钰;刘春俊;王波;彭同华;杨建 | 申请(专利权)人: | 北京天科合达半导体股份有限公司 |
主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24B1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 韩静粉 |
地址: | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒角 方法 | ||
本发明公开了一种倒角方法,包括以下步骤:根据待加工晶片的材质选择与待加工晶片适配的砂轮类型;将待加工晶片和选择的砂轮均安装于倒角装置上;将待加工晶片和砂轮进行原点对刀操作;在倒角装置上设置砂轮的运动方向为第一方向和第二方向,同时设置待加工晶片的运动方向为第三方向;根据待加工晶片的不同材质,设置砂轮的转速为不同转速;根据待加工晶片的不同的轮廓形貌,在倒角装置上设置不同的加工参数,对待加工晶片的原点至待加工晶片上端面的位置进行倒角;以对待加工晶片的原点至待加工晶片下端面的位置进行倒角。上述倒角方法可加工出不同的待加工晶片的不同的轮廓形貌,减少砂轮的更换频率,提升加工效率,而避免端面毛刺的现象出现。
技术领域
本发明涉及晶片加工技术领域,特别涉及一种倒角方法。
背景技术
当前,半导体衬底倒角主要使用廓形砂轮倒角技术,即一种规格型号的砂轮仅能进行一种边缘轮廓的加工。当使用廓形砂轮倒角技术进行倒角时,每个槽都需要与晶片进行对中,对中后晶片缓慢接近高速旋转的砂轮槽直至接触,产生磨削,晶片缓慢旋转若干周,达成目标直径的倒角,倒角后的晶片边缘将复制得到与砂轮槽型一致的轮廓形貌。
但是,上述廓形砂轮倒角技术存在以下缺陷:1)砂轮槽型固定,无法兼顾R型倒角、T型倒角和不对称倒角,如需要更换轮廓形貌,需要重新设计并加工倒角砂轮的磨削槽,操作繁琐且需要一定砂轮加工周期;2)砂轮槽寿命较短,随着加工数量逐渐增多,砂轮槽会逐渐变形失去原本设计的砂轮槽型,在磨削力仍旧存在的情况下被迫更换新槽;3)廓形倒角在倒角端面的粗糙度质量无法实现稳定,偶尔会发生端面毛刺的现象。
因此,如何提供一种倒角方法,不仅能够同时兼顾R型、T型和不对称倒角等多种倒角类型,而且能够大大减少砂轮更换频率,提升加工效率,提升倒角端面的质量是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种倒角方法,不仅能够同时兼顾R型、T型和不对称倒角等多种倒角类型,而且能够大大减少砂轮更换频率,提升加工效率,提升倒角端面的质量。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种倒角方法,包括以下步骤:
1)根据待加工晶片的材质选择与待加工晶片适配的砂轮类型;
2)将待加工晶片和选择的砂轮均安装于倒角装置上;
3)将待加工晶片和砂轮进行原点对刀操作;
4)在倒角装置上设置砂轮的运动方向为第一方向和第二方向,同时设置待加工晶片的运动方向为第三方向;
根据待加工晶片的不同材质,设置砂轮的转速为不同转速;
根据待加工晶片的不同的轮廓形貌,在倒角装置上设置不同的加工参数,根据不同的加工参数能够计算砂轮沿第一方向运动的第一目标距离和第一目标速度,砂轮沿第二方向运动的第二目标距离和第二目标速度,同时能够计算待加工晶片沿第三方向运动的第三目标距离和第三目标速度;
5)控制砂轮以第一目标速度沿第一方向运动第一目标距离,控制待加工晶片以第三目标速度沿第三方向运动第二目标距离,以对待加工晶片的原点至待加工晶片上端面的位置进行倒角;
6)控制砂轮和待加工晶片均回到原点初始位置;
7)控制砂轮以第二目标速度沿第二方向运动
第二目标距离,控制待加工晶片以第三目标速度沿第三方向运动第三目标距离,以对待加工晶片的原点至待加工晶片下端面的位置进行倒角;
8)控制砂轮和待加工晶片均回到原点初始位置。
优选的,待加工晶片的倒角为T型倒角。
优选的,待加工晶片的倒角为R型倒角。
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