[发明专利]封装及封装方法

权利要求书

1.一种封装，其特征在于，所述封装包括：

中介衬底，所述中介衬底具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；

设置在所述第一侧上的重布线层，所述重布线层包括设置在所述第一侧上的多个接触盘和多个互连部，所述多个互连部电连接到多个端子，所述端子设置在与所述第一侧相对的所述第二侧上；

设置在所述第一侧上的第一半导体管芯，所述第一半导体管芯电耦接到设置在所述中介衬底的第一侧上的多个接触盘中的第一接触盘和设置在所述中介衬底的第一侧上的多个互连部中的第一互连部；和

设置在所述第一侧上的第二半导体管芯，所述第二半导体管芯电耦接到设置在所述中介衬底的第一侧上的多个接触盘中的第二接触盘和设置在所述中介衬底的第一侧上的多个互连部中的第二互连部，

其中，所述中介衬底中形成有至少一个半导体通孔TSV，所述半导体通孔提供用于所述中介衬底的第一侧和第二侧之间的电互连的导电路径。

2.根据权利要求1所述的封装，其特征在于，所述中介衬底的厚度小于大约50微米。

3.根据权利要求1所述的封装，其特征在于，所述封装进一步包括：

设置在所述中介衬底的第一侧上的模制材料层，所述模制材料层对所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯进行封装。

4.根据权利要求3所述的封装，其特征在于，所述模制材料层的厚度在约100微米至150微米的范围内。

5.根据权利要求1所述的封装，其特征在于，所述第二半导体管芯以倒装芯片定向设置在所述第一侧上。

6.根据权利要求1所述的封装，其特征在于，所述封装进一步包括：

第三半导体管芯，所述第三半导体管芯以倒装芯片定向设置在所述第二半导体管芯上并电耦接到所述第二半导体管芯。

7.根据权利要求6所述的封装，其特征在于，所述第三半导体管芯的底侧穿过设置在所述第一侧上的模制材料层暴露，并且所述封装进一步包括设置在所述第三半导体管芯的底侧上的散热块。

8.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

形成晶圆级中介衬底，所述晶圆级中介衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；

形成在所述晶圆级中介衬底的第一侧和第二侧之间延伸的半导体通孔TSV；

以倒装芯片式安装将至少两个半导体管芯安装在所述晶圆级中介衬底的第一侧上；

将安装在所述晶圆级中介衬底的第一侧上的至少两个半导体管芯封装在模制材料层中；和

对所述晶圆级中介衬底和对安装在所述晶圆级中介衬底上的至少两个半导体管芯进行封装的模制材料层的晶圆级组件进行切单操作，以产生包括所述至少两个半导体管芯的至少一个个体系统级封装，

其中，所述晶圆级中介衬底是硅晶圆，并且其中，形成所述晶圆级中介衬底包括将硅晶圆减薄至小于约50μm的厚度。

9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，形成在所述晶圆级中介衬底的第一侧和第二侧之间延伸的半导体通孔TSV包括：在所述半导体通孔中设置导电材料，以在所述晶圆级中介衬底的所述第一侧和所述第二侧之间形成导电路径。

10.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法进一步包括：

将导电凸块附接到设置在所述晶圆级中介衬底的第二侧上的端子。