[发明专利]封装及封装方法

说明书

本申请涉及一种封装及封装方法。该封装包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中介衬底，以及设置在第一侧上的重布线层。重布线层包括设置在第一侧上的多个接触盘和多个互连部。多个互连部电连接到设置在与第一侧相对的第二侧上的多个端子。第一半导体管芯设置在第一侧上，并且电耦接到设置在中介衬底的第一侧上的多个接触盘中的第一接触盘和设置在中介衬底的第一侧上的多个互连部中的第一互连部。第二半导体管芯设置在第一侧上。第二半导体管芯电耦接到设置在中介衬底的第一侧上的多个接触盘中的第二接触盘和设置在中介衬底的第一侧上的多个互连部中的第二互连部。

技术领域

本发明涉及半导体管芯的封装，特别地，涉及一种封装及封装方法。

背景技术

对于需要两个或更多个集成电路(integrated circuit，IC)的功能的电子系统而言，多个集成电路可以安装在印刷电路板上，并且导线键合可以在多个集成电路之间传送电信号。系统级封装(system-in-package，SiP)将两个或更多个集成电路组合在单个封装内。将两个或更多个集成电路组合在单个封装内可以缩短电信号在多个集成电路之间的传输距离。

发明内容

总体来说，本申请涉及一种封装，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中介衬底，以及设置在第一侧上的重布线层。重布线层包括设置在第一侧上的多个接触盘和多个互连部。多个互连部电连接到设置在与第一侧相对的第二侧上的多个端子。第一半导体管芯设置在第一侧上，并且电耦接到多个接触盘中的第一接触盘和设置在中介衬底的第一侧上的多个互连部中的第一互连部。第二半导体管芯设置在第一侧上。第二半导体管芯电耦接到多个接触盘中的第二接触盘和设置在中介衬底的第一侧上的多个互连部中的第二互连部。

总体而言，本申请还涉及一种封装方法，包括：形成晶圆级中介衬底，所述晶圆级中介衬底具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；形成在所述晶圆级中介衬底的第一侧和第二侧之间延伸的半导体通孔(TSV)；以及以倒装芯片式安装将至少两个半导体管芯安装在所述晶圆级中介衬底的第一侧上。该方法进一步包括：将安装在所述晶圆级中介衬底的第一侧上的至少两个半导体管芯封装在模制材料层中；和对所述晶圆级中介衬底和对安装在所述晶圆级中介衬底上的至少两个半导体管芯进行封装的模制材料层的晶圆级组件进行切单操作，以产生包括至少两个半导体管芯的至少一个个体系统级封装。

总体而言，本申请还涉及一种封装方法，包括：将包括接触盘和互连盘的重布线层设置在半导体晶圆的第一侧上；将第一半导体管芯和第二半导体管芯安装在所述半导体晶圆的第一侧上的重布线层上；和将所述半导体晶圆的第一侧上的所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯封装在模制材料层中。该方法进一步包括：从与所述第一侧相对的第二侧对所述半导体晶圆进行减薄；至少形成在减薄的所述半导体晶圆的第一侧和第二侧之间延伸的半导体通孔(TSV)；以及形成互连部，所述互连部包括在减薄的所述半导体衬底的第二侧上的端子。该方法进一步包括：对所述半导体晶圆和所述模制材料层的组件进行切单操作以产生系统级封装(SiP)的个体单元，所述系统级封装的个体单元包括集成在减薄的所述半导体衬底上的所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯。

附图和以下描述给出了一种或多种实现的细节。其它特征将从说明书和附图以及权利要求中变得明显。

附图说明

图1以截面图示意性地示出了根据本公开的原理的示例性系统级封装(SiP)结构。

图2示出了根据本公开的原理的用于制造系统级封装(SiP)结构的示例性方法。

图3A至图4D示意性地示出了中介衬底上的处于不同构造阶段的管芯系统级封装的横截面图。

图5示出了根据本公开的原理的用于制造示例性系统级封装(SiP)结构的另一示例性方法。

图6A至图6G示意性地示出了中介衬底上的处于不同构造阶段的多管芯系统级封装。

图7以截面图示出了根据本公开的原理的另一示例性系统级封装(SiP)结构。