[发明专利]微机电系统差分磁传感器、传感器单体及电子设备在审
申请号: | 202210483319.9 | 申请日: | 2022-05-05 |
公开(公告)号: | CN115079061A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 邹泉波 | 申请(专利权)人: | 歌尔微电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 马铁良 |
地址: | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 系统 差分磁 传感器 单体 电子设备 | ||
公开了一种微机电系统差分磁传感器、传感器单体及电子设备。该微机电系统差分磁传感器包括:第一磁阻;第一磁源;以及第二磁源,其中,第一磁源和第二磁源分别位于第一磁阻的两侧,第一磁源和第二磁源的磁化方向相反,以在第一磁阻处形成差分磁场,第一磁阻、第一磁源和第二磁源形成在相同的器件平面上,以及所述第一磁阻能相对于第一磁源和第二磁源移动。
技术领域
本说明书涉及微机电系统(MEMS)传感器技术领域,更具体地,涉及一种微机电系统差分磁传感器、传感器单体及电子设备。
背景技术
微机电系统传感器可以包括微机电系统电容型传感器和磁传感器。在微机电系统电容型传感器中设置振膜和背极板。当振膜发生振动时,振膜和背极板之间的电容发生变化。通过检测这种电容变化,确定振膜的震动。在微机电系统磁阻传感器中,设置磁源和磁阻。当磁源和磁阻的相对位置发生变化时,施加在磁阻上的磁场也发生变化。磁场的变化导致磁阻的阻值发生变化。
微机电系统传感器可以用作微机电系统麦克风、微机电系统加速度仪等。
发明内容
本说明书的实施例提供用于微机电系统差分磁传感器的新技术方案。
根据本说明书的第一方面,提供了一种微机电系统差分磁传感器,包括:第一磁阻;第一磁源;以及第二磁源,其中,第一磁源和第二磁源分别位于第一磁阻的两侧,其中,第一磁源和第二磁源的磁化方向相反,以在第一磁阻处形成差分磁场,其中,第一磁阻、第一磁源和第二磁源形成在相同的器件平面上,以及其中,所述第一磁阻能相对于第一磁源和第二磁源移动。
根据本说明书的第二方面,提供了一种传感器单体,包括基板、根据实施例的微机电系统差分磁传感器以及集成电路芯片,其中,所述微机电系统差分磁传感器以及集成电路芯片被设置在所述基板上。
根据本说明书的第三方面,提供了一种电子设备,包括根据实施例的传感器单体。
在不同实施例中,可以简化微机电系统差分磁传感器的制造工艺。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本说明书实施例。
此外,本说明书实施例中的任一实施例并不需要达到上述的全部效果。
通过以下参照附图对本说明书的示例性实施例的详细描述,本说明书的实施例的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本说明书实施例中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了根据第一实施例的微机电系统差分磁传感器的示意性磁力线分布。
图2示出了在根据第一实施例的微机电系统差分磁传感器中磁阻所受到的磁场强度的变化的示意图。
图3示出了根据第二实施例的微机电系统差分磁传感器的示意性结构。
图4示出了根据第三实施例的微机电系统差分磁传感器的示意性磁力线分布。
图5示出了在根据第三实施例的微机电系统差分磁传感器中磁阻所受到的磁场强度的变化的示意图。
图6示出了根据第四实施例的微机电系统差分磁传感器的示意性结构。
图7示出了根据第五实施例的微机电系统差分磁传感器的示意性结构。
图8示出了根据第六实施例的传感器单体的示意图。
图9示出了根据第七实施例的电子设备的示意图。
具体实施方式
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