[发明专利]高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备在审
| 申请号： | 202210485382.6 | 申请日： | 2022-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN114914304A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;王强;朱小安;刘锡元 | 申请（专利权）人： | 重庆安派芯成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/74;H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 钟永翠 |
| 地址： | 401120 重庆市两江新区康*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流电 ldmos 器件 可控硅 电子设备 | ||
1.一种高镇流电阻的LDMOS器件，其特征在于，所述高镇流电阻的LDMOS器件包括：
半导体衬底；
P型体区，形成于所述半导体衬底内；
N漂移区，所述N漂移区位于所述P型体区的内部；
源极N注入区及源极P注入区，位于所述P型体区的内部；所述源极N注入区和所述源极P注入区相连；
漏极N注入区，所述漏极N注入区位于所述N漂移区的内部；
所述漏极N注入区与所述N漂移区的相邻处的表面上开设有第一接触孔；
所述源极N注入区与所述源极P注入区相邻处在背离所述P型体区的一侧面上开设有第二接触孔；
所述第一接触孔和所述第二接触孔用于接入电能，并与所述P型体区和所述N漂移区形成电流通道。
2.如权利要求1所述的高镇流电阻的LDMOS器件，其特征在于，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：
场氧化层，所述场氧化层位于所述N漂移区的表面和所述P型体区的表面上。
3.如权利要求2所述的高镇流电阻的LDMOS器件，其特征在于，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：
栅氧化层，所述栅氧化层覆盖于所述P型体区的沟道表面。
4.如权利要求3所述的高镇流电阻的LDMOS器件，其特征在于，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：
多晶硅栅极，所述多晶硅栅极位于所述栅氧化层的上方。
5.如权利要求4所述的高镇流电阻的LDMOS器件，其特征在于，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：
阳极金属，所述阳极金属覆盖于所述第一接触孔上；
阴极金属，所述阴极金属覆盖于所述第二接触孔上。
6.如权利要求1-5任意一项所述的高镇流电阻的LDMOS器件，其特征在于，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：
钝化层，所述钝化层位于所述高镇流电阻的LDMOS器件的表面。
7.一种高镇流电阻的可控硅器件，其特征在于，所述高镇流电阻的可控硅器件包括：
半导体衬底；
P型体区，形成于所述半导体衬底内；
N漂移区，所述N漂移区位于所述P型体区的内部；
源极N注入区及源极P注入区，位于所述P型体区的内部；所述源极N注入区和所述源极P注入区相连；
阳极N注入区及阳极P注入区，所述阳极N注入区和所述阳极P注入区位于所述N漂移区的内部；所述阳极N注入区和所述阳极P注入区相连；
所述阳极N注入区和所述阳极P注入区相邻处的表面上开设有第一接触孔；
所述源极N注入区与所述源极P注入区相邻处在背离所述P型体区的一侧面上开设有第二接触孔；
所述第一接触孔和所述第二接触孔用于接入电能，并与所述P型体区和所述N漂移区形成电流通道。
8.如权利要求7所述的高镇流电阻的可控硅器件，其特征在于，所述高镇流电阻的可控硅器件还包括：
跨接N注入区，位于所述N漂移区内部与所述P型体区内部的相邻处；
场氧化层，所述场氧化层位于所述N漂移区的表面和所述P型体区的表面上；
栅氧化层，所述栅氧化层覆盖于所述P型体区的沟道表面；
多晶硅栅极，所述多晶硅栅极位于所述栅氧化层的上方；
阳极金属，所述阳极金属覆盖于所述第一接触孔上；
阴极金属，所述阴极金属覆盖于所述第二接触孔上；
钝化层，所述钝化层位于所述高镇流电阻的可控硅器件的表面。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-6任意一项所述的高镇流电阻的LDMOS器件或如权利要求7-8任意一项所述的高镇流电阻的可控硅器件。
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