[发明专利]高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备

说明书

本发明公开一种高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备，其中，高镇流电阻的LDMOS器件包括：半导体衬底；P型体区，形成于半导体衬底内；N漂移区，N漂移区位于P型体区的内部；源极N注入区及源极P注入区，位于P型体区的内部；源极N注入区和源极P注入区相连；漏极N注入区，漏极N注入区位于N漂移区的内部；漏极N注入区与N漂移区的相邻处的表面上开设有第一接触孔；源极N注入区与源极P注入区相邻处在背离P型体区的一侧面上开设有第二接触孔；第一接触孔和第二接触孔用于接入电能，并与P型体区和N漂移区形成电流通道。本发明技术方案解决了LDMOS器件的ESD能力较差的问题。

技术领域

本发明涉及电子科学与技术领域，特别涉及一种高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备。

背景技术

LDMOS即横向双扩散金属-氧化物-半导体器件，其广泛用于各种功率变换场合，如电机驱动，开关电源，功率变换等。然而，LDMOS由于有过长的漂移区，当ESD脉冲从LDMOS漏级进入后会引起大基区拓展效应从而引起电流分布的不均匀。由于不合理的器件结构，导致了LDMOS器件的ESD能力极差。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备，旨在解决LDMOS器件的ESD能力较差的问题。

为实现上述目的，本发明提出的一种高镇流电阻的LDMOS器件，所述高镇流电阻的LDMOS器件包括：

半导体衬底；

P型体区，形成于所述半导体衬底内；

N漂移区，所述N漂移区位于所述P型体区的内部；

源极N注入区及源极P注入区，位于所述P型体区的内部；所述源极N注入区和所述源极P注入区相连；

漏极N注入区，所述漏极N注入区位于所述N漂移区的内部；

所述漏极N注入区与所述N漂移区的相邻处的表面上开设有第一接触孔；

所述源极N注入区与所述源极P注入区相邻处在背离所述P型体区的一侧面上开设有第二接触孔；

所述第一接触孔和所述第二接触孔用于接入电能，并与所述P型体区和所述N漂移区形成电流通道。

可选地，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：

场氧化层，所述场氧化层位于所述N漂移区的表面和所述P型体区的表面上。

可选地，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：

栅氧化层，所述栅氧化层覆盖于所述P型体区的沟道表面。

可选地，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：

多晶硅栅极，所述多晶硅栅极位于所述栅氧化层的上方。

可选地，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：

阳极金属，所述阳极金属覆盖于所述第一接触孔上；

阴极金属，所述阴极金属覆盖于所述第二接触孔上。

可选地，所述高镇流电阻的LDMOS器件还包括：

钝化层，所述钝化层位于所述高镇流电阻的LDMOS器件的表面。

本发明还提出一种高镇流电阻的可控硅器件，所述高镇流电阻的可控硅器件包括：

半导体衬底；

P型体区，形成于所述半导体衬底内；

N漂移区，所述N漂移区位于所述P型体区的内部；