[发明专利]一种Micro LED芯片阵列集成结构

权利要求书

1.一种Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，包括：

由X行Y列的Micro LED芯片所阵列组成的Micro LED芯片阵列；

与每一列中X个所述Micro LED芯片的第一电极连接的Y列第一极性驱动线路；

与每一行中Y个所述Micro LED芯片的第二电极连接的X行第二极性驱动线路；

与每一列的所述第一极性驱动线路连接的Y个第一极性电极；

与每一行的所述第二极性驱动线路连接的X个第二极性电极；及

位于所述第一极性驱动线路和所述第二极性驱动线路之间的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，所述Micro LED芯片包括：

衬底、位于所述衬底上的外延层以及位于所述外延层上的导电电极；

所述外延层包括在所述衬底上所依次设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述第一半导体层的极性与所述第二半导体层的极性相反；

所述导电电极包括与所述第一半导体层电连接的第一电极以及与所述第二半导体层电连接的第二电极。

3.根据权利要求1所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，X≥1，Y≥1，且X与Y不同时为1。

4.根据权利要求1所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，每一所述MicroLED芯片的边界处均设有用于隔离相邻所述Micro LED芯片的隔离沟槽。

5.根据权利要求1所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；

所述第一绝缘层覆盖在所述Micro LED芯片阵列上，且所述第一极性驱动线路穿过所述第一绝缘层与所述第一电极连接；

所述第二绝缘层覆盖在所述第一绝缘层和所述第一极性驱动线路上，且所述第二极性驱动线路穿过所述第二绝缘层及所述第一绝缘层与所述第二电极连接。

6.根据权利要求1所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，所述Micro LED芯片阵列集成结构还包括覆盖在所述Micro LED芯片阵列、所述第一极性驱动线路以及所述第二极性驱动线路上的保护层；

所述第一极性电极穿过所述保护层与对应的第一极性驱动线路连接，所述第二极性电极穿过所述保护层与对应的第二极性驱动线路连接。

7.根据权利要求1所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，所述第一极性电极和所述第二极性电极位于所述Micro LED芯片阵列中的非出光面。

8.根据权利要求1所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，各个所述第一极性电极和各个所述第二极性电极分别沿所述Micro LED芯片阵列的两个对角交错排布。

9.根据权利要求2所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，所述Micro LED芯片中发光层的边长小于100um。

10.根据权利要求4所述的Micro LED芯片阵列集成结构，其特征在于，所述隔离沟槽设于每列相邻的Micro LED芯片之间。