[发明专利]一种Micro LED芯片阵列集成结构

说明书

本发明提供一种Micro LED芯片阵列集成结构，所述结构包括：由X行Y列的Micro LED芯片所阵列组成的Micro LED芯片阵列；与每一列中X个MicroLED芯片的第一电极连接的Y列第一极性驱动线路；与每一行中Y个Micro LED芯片的第二电极连接的X行第二极性驱动线路；与每一列的第一极性驱动线路连接的Y个第一极性电极；与每一行的第二极性驱动线路连接的X个第二极性电极；及位于第一极性驱动线路和第二极性驱动线路之间的绝缘层。本发明解决了现有Micro LED芯片尺寸过小所导致的转移切割精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种Micro LED芯片阵列集成结构。

背景技术

Micro LED芯片是当今应用于显示光源的一大热点，其中Micro LED芯片由于其尺寸远小于目前的LED芯片，使得可以实现以单颗LED芯片作为最小像素单元，从而大幅提升现有显示屏的分辨率，其具有低功耗，高对比度，高亮度等优势。

但Micro LED芯片在实际生产应用中面临很多的问题。首先当LED芯片到达Micro级别时，其LED芯粒的切割难度大幅增加，其切割精度要求更高，且切割时间更长。除此以外，Micro LED芯片的实际生产还存在巨量转移问题，其单颗Micro LED芯片转移至基板时，由于Micro LED芯片整体芯粒尺寸小，其互联焊盘远远小于常规LED芯片，使得在转移过程中，一方面Micro LED芯片难以抓取，另一方面抓取Micro LED芯片之后其电极的对位难度也大幅增加。

针对现在的巨量转移问题，目前已经有很多种技术方案，比如卷对卷转移，激光转移等等。尽管目前已经提出了上述转移技术，但这些技术依然存在转移精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题，同时其还需要大幅替换或增加或更改现有的设备，使得造成转移设备昂贵，制造成本大幅增加等问题，其对于生产制造都是极大的挑战。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种Micro LED芯片阵列集成结构，以从根本上解决现有Micro LED芯片尺寸过小所导致的转移切割精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题。

根据本发明实施例的一种Micro LED芯片阵列集成结构，包括：

由X行Y列的Micro LED芯片所阵列组成的Micro LED芯片阵列；

与每一列中X个所述Micro LED芯片的第一电极连接的Y列第一极性驱动线路；

与每一行中Y个所述Micro LED芯片的第二电极连接的X行第二极性驱动线路；

与每一列的所述第一极性驱动线路连接的Y个第一极性电极；

与每一行的所述第二极性驱动线路连接的X个第二极性电极；及

位于所述第一极性驱动线路和所述第二极性驱动线路之间的绝缘层。

另外，根据本发明上述实施例的一种Micro LED芯片阵列集成结构，还可以具有如下附加的技术特征：

进一步地，所述Micro LED芯片包括：

衬底、位于所述衬底上的外延层以及位于所述外延层上的导电电极；

所述外延层包括在所述衬底上所依次设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述第一半导体层的极性与所述第二半导体层的极性相反；

所述导电电极包括与所述第一半导体层电连接的第一电极以及与所述第二半导体层电连接的第二电极。

进一步地，X≥1，Y≥1，且X与Y不同时为1。

进一步地，每一所述Micro LED芯片的边界处均设有用于隔离相邻所述Micro LED芯片的隔离沟槽。