[发明专利]一种掉电记忆存储方法和装置

权利要求书

1.一种掉电记忆存储方法，其特征在于，包括：

当MCU上电时，擦除第一数据存储区的数据，并将MCU当前工作数据写入第一数据存储区；

擦除第二数据存储区的数据；所述第一数据存储区和第二数据存储区为MCU内设有的可独立擦除的存储区；

当MCU接收到掉电信号时，将MCU当前工作数据写入第二数据存储区。

2.根据权利要求1所述的一种掉电记忆存储方法，其特征在于，在擦除第一数据存储区的数据前，还包括：

识别第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据；

读取第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据作为MCU当前工作数据。

3.根据权利要求2所述的一种掉电记忆存储方法，其特征在于，识别第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据，具体包括：

将第一数据存储区和第二数据存储区所存储的数据与预设数据范围进行对比，以识别有效数据。

4.根据权利要求2所述的一种掉电记忆存储方法，其特征在于，读取第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据作为MCU当前工作数据，具体包括：

读取第二数据存储区的数据作为当前工作数据；

若第二数据存储区的数据存在失效字节，则读取失效字节的存储地址，并以第一数据存储区的相同存储地址的有效字节替换失效字节写入当前工作数据；

若第一数据存储区的相同存储地址的数据为无效数据，则以该数据的出厂默认值写入当前工作数据。

5.根据权利要求1所述的一种掉电记忆存储方法，其特征在于，当MCU接收到掉电信号时，将MCU当前工作数据写入第二数据存储区，具体包括：

若检测出MCU的供电电压小于或等于MCU掉电检测电平阈值，则将MCU当前工作数据写入第二数据存储区。

6.一种掉电记忆存储装置，其特征在于，包括：

第一擦除模块，所述第一擦除模块用于当MCU上电时，擦除第一数据存储区的数据，并将MCU当前工作数据写入第一数据存储区；

第二擦除模块，所述第二擦除模块用于擦除第二数据存储区的数据；所述第一数据存储区和第二数据存储区为MCU内设有的可独立擦除的存储区；

掉电数据写入模块，所述掉电数据写入模块用于当MCU接收到掉电信号时，将MCU当前工作数据写入第二数据存储区。

7.根据权利要求6所述的一种掉电记忆存储装置，其特征在于，还包括：

识别模块，所述识别模块用于识别第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据；

读取模块，所述读取模块用于读取第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据作为MCU当前工作数据。

8.根据权利要求7所述的一种掉电记忆存储装置，所述识别模块运行时，具体执行：

将第一数据存储区和第二数据存储区所存储的数据与预设数据范围进行对比，以识别有效数据。

9.根据权利要求8所述的一种掉电记忆存储装置，其特征在于，所述读取模块运行时，具体执行：

读取第二数据存储区的数据作为当前工作数据；

若第二数据存储区的数据存在失效字节，则读取失效字节的存储地址，并以第一数据存储区的相同存储地址的有效字节替换失效字节写入当前工作数据；

若第一数据存储区的相同存储地址的数据为无效数据，则以该数据的出厂默认值写入当前工作数据。

10.根据权利要求6所述的一种掉电记忆存储装置，其特征在于，所述掉电数据写入模块运行时，具体执行：

若检测出MCU的供电电压小于或等于MCU掉电检测电平阈值，则将MCU当前工作数据写入第二数据存储区。