[发明专利]一种掉电记忆存储方法和装置

说明书

本发明公开了一种掉电记忆存储方法和装置，包括：当MCU上电时，擦除第一数据存储区的数据，并将MCU当前工作数据写入第一数据存储区；擦除第二数据存储区的数据；所述第一数据存储区和第二数据存储区为MCU内设有的可独立擦除的存储区；当MCU接收到掉电信号时，将MCU当前工作数据写入第二数据存储区。可实现在掉电时只进行数据写入，而数据写入时间很短，故可实现大数据量掉电记忆。即使第二数据存储区所存储的数据不完整，第一数据存储区也完整保存有上一次有效的MCU工作参数，稳定性较好。

技术领域

本发明属于数据存储技术领域，具体涉及一种掉电记忆存储方法和装置。

背景技术

电器产品存在断电后数据丢失的风险，相关电器产品通常设置备用电源，以保证在断电后有足够的时间存储数据以防止数据丢失，但是备用电源所占空间较大。

目前的掉电记忆方法通常为：在MCU(Microcontroller Unit，微控制单元或单片机)掉电时，MCU通过掉电检测电路检测掉电信号，并利用储能电容延长MCU电平下降时间，在此期间MCU存储工作参数，直至储能电容不能维持MCU继续工作。在MCU存储工作参数时，首先需要将待存储写入的存储芯片擦除干净，然后再将数据写入存储片区中。由于成本和体积的限制，大多数储能电容通常小于500uF，其可维持MCU工作的时间较短，仅能维持几十毫秒，甚至几毫秒，而擦除储存芯片中一片扇区的时间通常不少于5ms。当需要存储的数据量较大时，由于芯片擦除时间较长，写入芯片中的时间被大量占用，在掉电时间内存储的数据量较少，且存在写入数据不完整或缺失的问题，稳定性较差。

发明内容

本发明的目的是要解决上述的技术问题，提供一种掉电记忆存储方法和装置，解决了现有技术中掉电时间内存储的数据量较少、稳定性较差的问题。

为了解决上述问题，本发明按以下技术方案予以实现的：

第一方面，本发明提供了一种掉电记忆存储方法，包括：

当MCU上电时，擦除第一数据存储区的数据，并将MCU当前工作数据写入第一数据存储区；

擦除第二数据存储区的数据；所述第一数据存储区和第二数据存储区为MCU内设有的可独立擦除的存储区；

当MCU接收到掉电信号时，将MCU当前工作数据写入第二数据存储区。

结合第一方面，本发明还提供了第一方面的第1种实施方式，在擦除第一数据存储区的数据前，还包括：

识别第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据；

读取第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据作为MCU当前工作数据。

结合第一方面，本发明还提供了第一方面的第2种实施方式，识别第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据，具体包括：

将第一数据存储区和第二数据存储区所存储的数据与预设数据范围进行对比，以识别有效数据。

结合第一方面，本发明还提供了第一方面的第3种实施方式，读取第一数据存储区和第二数据存储区中的有效数据作为MCU当前工作数据，具体包括：

读取第二数据存储区的数据作为当前工作数据；

若第二数据存储区的数据存在失效字节，则读取失效字节的存储地址，并以第一数据存储区的相同存储地址的有效字节替换失效字节写入当前工作数据；

若第一数据存储区的相同存储地址的数据为无效数据，则以该数据的出厂默认值写入当前工作数据。

结合第一方面，本发明还提供了第一方面的第4种实施方式，当MCU接收到掉电信号时，将MCU当前工作数据写入第二数据存储区，具体包括：