[发明专利]一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置在审
申请号: | 202210489326.X | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN114883368A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 郝鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 结构 方法 显示装置 | ||
1.一种显示器件结构,其特征在于,包括:
阳极层,所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面;
像素界定层,所述像素界定层设置在第一面上且部分覆盖所述第一面;
空穴注入层,所述空穴注入层设置在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域,所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触;
出光膜层,所述出光膜层设置在所述空穴注入层上,所述出光膜层的边缘与所述像素界定层接触。
2.根据权利要求1所述的显示器件结构,其特征在于,所述出光膜层包括空穴传输层和发光层,所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上,所述空穴传输层的边缘与所述像素界定层接触;所述发光层设置在所述空穴传输层上,所述发光层的边缘与所述像素界定层接触。
3.根据权利要求1所述的显示器件结构,其特征在于,所述出光膜层靠近像素界定层处的膜厚大于所述出光膜层远离像素界定层处的膜厚。
4.一种显示器件制程方法,其特征在于,包括:
提供一阳极层,所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面;
在所述第一面上设置像素界定层,所述像素界定层部分覆盖所述第一面;
在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层,所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触;
在所述空穴注入层上设置出光膜层,所述出光膜层的边缘与像素界定层接触。
5.根据权利要求4所述的显示器件制程方法,其特征在于,所述在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层包括:
将空穴注入层材料滴加在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域;
对滴加在所述第一面上的所述空穴注入层材料进行干燥处理得到空穴注入层,所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触;
对所述空穴注入层进行退火处理;
所述在所述空穴注入层上设置出光膜层包括:
将出光膜层材料滴加在所述空穴注入层上,所述出光膜层的材料中添加有有机溶剂以增加膜层的延展性;
对所述空穴注入层上的所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层,所述出光膜层的边缘与像素界定层接触;
对所述出光膜层进行退火处理。
6.根据权利要求5所述的显示器件制程方法,其特征在于,所述有机溶剂组分中包括正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种,所述正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚在所述有机溶剂中的含量在10%以上。
7.根据权利要求5所述的显示器件制程方法,其特征在于,所述对所述空穴注入层上的所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层,包括:
提供一腔室,将所述阳极层、所述空穴注入层、所述出光膜层材料置于所述腔室中;
对所述腔室进行抽真空处理以降低所述腔室的压强;
升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层。
8.根据权利要求7所述的显示器件制程方法,其特征在于,在所述升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层时,还包括:降低对所述腔室抽真空的速率,在所述腔室的压力在保压压力范围内时进行保压暂停,所述保压压力范围为100mbar至700mbar,所述保压暂停时间为100s以上。
9.根据权利要求7所述的显示器件制程方法,其特征在于,所述升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层包括:采用加热装置提升腔室的温度,所述腔室的温度保持在30℃至60℃之间。
10.一种显示装置,包括一种显示器件结构,其特征在于,所述显示器件结构为权利要求1至3任一项所述的显示器件结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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