[发明专利]一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置在审
申请号: | 202210489326.X | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN114883368A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 郝鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 结构 方法 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置,本申请中的显示器件结构,包括阳极层、像素界定层、空穴注入层以及出光膜层,所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面;所述像素界定层设置在第一面上且部分覆盖所述第一面;所述空穴注入层设置在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域,所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触;所述出光膜层设置在所述空穴注入层上,所述出光膜层的边缘与所述像素界定层接触。由于出光膜层的边缘与像素界定层接触,可以改善空穴注入层与其上部的电子传输层/阴极金属形成直接接触,避免造成较大的漏电流和击穿形成短路。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)以其自发光、全固态、高对比度等优点,成为近年来最具潜力的新型显示器件。喷墨打印(Ink-Jet Printing,IJP)是目前最适用于目前OLED发光器件的制程。
当前IJP技术可用制备空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL)/空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)/发光层(Emission layer,EML)三层叠加的膜层。但是,IJP的制程特点决定了有机膜层在像素区内的分布并不是平整的,并且容易在像素区边缘处形成爬升。因HIL层边缘沿像素界定层攀爬,边缘处膜厚较厚,此时其上部的HTL/EML等膜层因基底和侧壁的膜层性质已经改变,不易向上攀爬,则会在边缘处形成HIL与其上部的电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)/阴极金属形成直接接触,在显示器件中造成较大的漏电流,并易击穿形成短路。
发明内容
本申请实施例提供一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置,可改善因HIL膜厚边缘爬坡带来的漏电流及短路击穿问题。
本申请提供一种显示器件结构,包括:
阳极层,所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面;
像素界定层,所述像素界定层设置在第一面上且部分覆盖所述第一面;
空穴注入层,所述空穴注入层设置在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域,所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触;
出光膜层,所述出光膜层设置在所述空穴注入层上,所述出光膜层的边缘与所述像素界定层接触。
在一些实施例中,所述出光膜层包括空穴传输层和发光层;所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上,所述空穴传输层的边缘与所述像素界定层接触;所述发光层设置在所述空穴传输层上,所述发光层的边缘与所述像素界定层接触。
在一些实施例中,所述出光膜层靠近像素界定层处的膜厚大于所述出光膜层远离像素界定层处的膜厚。
本申请提供一种显示器件制程方法,包括:
提供一阳极层,所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面;
在所述第一面上设置像素界定层,所述像素界定层部分覆盖所述第一面;
在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层,所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触;
在所述空穴注入层上设置出光膜层,所述出光膜层的边缘与像素界定层接触。
在一些实施例中,所述在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层包括:
将空穴注入层材料滴加在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域;
对滴加在所述第一面上的所述空穴注入层材料进行干燥处理得到空穴注入层,所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触;
对所述空穴注入层进行退火处理;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的