[发明专利]一种高附着力光电薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高附着力光电薄膜，其特征在于，所述高附着力光电薄膜包括依次层叠设置的衬底、过渡层以及金属层；

所述过渡层包括氧化钼层；

所述金属层包括两层钼层以及所述两层钼层中间夹设的铝层。

2.根据权利要求1所述的高附着力光电薄膜，其特征在于，所述衬底包括ITO膜或SiO₂膜。

3.根据权利要求1或2所述的高附着力光电薄膜，其特征在于，所述过渡层的厚度为2-5nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的高附着力光电薄膜，其特征在于，所述钼层的厚度独立地为20-80nm；

优选地，所述铝层的厚度为100-160nm。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的高附着力光电薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)对预处理后的衬底表面进行粗糙化处理；

(2)采用磁控溅射法在步骤(1)经粗糙化处理后的衬底表面沉积过渡层，得到半成品；

(3)采用磁控溅射法在步骤(2)得到的半成品的过渡层上沉积金属层，得到光电薄膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述预处理包括依次进行的UV照射、清洗、干燥以及热处理；

优选地，采用碱性溶液进行所述清洗；

优选地，所述热处理在真空条件下进行；

优选地，所述热处理的温度为120-200℃；

优选地，所述热处理的时间为20-60s；

优选地，所述热处理后，所述衬底的温度为80-200℃。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述粗糙化处理包括：采用Ar等离子体对所述衬底的表面进行轰击；

优选地，所述轰击的时间为10-30s。

8.根据权利要求5-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述磁控溅射法包括直流磁控溅射法；

优选地，步骤(2)所述磁控溅射采用的气体包括氧气与氩气的混合气；

优选地，所述混合气中，氧气的体积分数为3-10vol.％；

优选地，步骤(2)所述磁控溅射的压力为0.2-0.8Pa；

优选地，进行步骤(2)所述磁控溅射的过程中，所述衬底的温度控制在80-200℃。

9.根据权利要求5-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述磁控溅射法包括直流磁控溅射法；

优选地，步骤(3)所述沉积金属层的顺序为钼层、铝层、钼层；

优选地，步骤(3)所述磁控溅射采用的气体包括氩气；

优选地，步骤(3)所述磁控溅射的压力为0.2-0.8Pa；

优选地，进行步骤(3)所述磁控溅射的过程中，所述半成品的温度控制在80-200℃；

优选地，步骤(3)所述光电薄膜在氮气气氛中冷却至40℃以下。

10.一种如权利要求1-4任一项所述的高附着力光电薄膜的应用，其特征在于，所述高附着力光电薄膜用于光电领域或和平板显示领域。