[发明专利]显示面板及其制备方法、显示终端在审
申请号: | 202210492251.0 | 申请日: | 2022-05-07 |
公开(公告)号: | CN114883370A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 刘赟夕;郑帅 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 终端 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底层;
第一金属层,位于所述衬底层上,所述第一金属层包括存储电容的第一极板;
有源层,位于所述第一金属层上,所述有源层包括所述存储电容的第二极板;
第二金属层,位于所述有源层上,所述第二金属层包括所述存储电容的第三极板,所述第三极板与所述第一极板电性连接;
其中,所述有源层面向所述第二金属层的一侧表面设置有阻挡层,所述阻挡层包括第一阻挡部,所述第一阻挡部位于所述第二极板上。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述显示面板的出光侧方向上,所述第一阻挡部的宽度和所述第二极板的宽度均大于所述第一极板的宽度。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第二极板包括导体部和位于所述导体部两侧的半导体部,所述第一极板在所述第二极板上的正投影位于所述导体部上。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一阻挡部覆盖所述第二极板远离所述第一极板的一侧表面以及所述第二极板的侧面。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层包括有源图案,所述有源图案包括沟道部以及位于所述沟道部两侧的源极接触部和漏极接触部;
所述第二金属层包括栅极、源极以及漏极,所述栅极在所述有源图案上的正投影位于所述沟道部上,所述源极与所述源极接触部电性连接,所述漏极与所述漏极接触部电性连接。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述阻挡层包括第二阻挡部和第三阻挡部,所述第二阻挡部位于所述源极接触部上,所述第三阻挡部位于所述漏极接触部上。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底层上形成第一金属层;
所述第一金属层经图案化处理形成存储电容的第一极板;
在所述第一金属层上形成有源层;
在所述有源层远离所述第一金属层的一侧表面形成阻挡材料层;
所述有源层经图案化处理形成所述存储电容的第二极板,以及所述阻挡材料层经图案化处理形成第一阻挡部,所述第一阻挡部位于所述第二极板上;
在所述第一阻挡部上形成第二金属层,所述第二金属层经图案化处理形成所述存储电容的第三极板,所述第三极板与所述第一极板电性连接。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述有源层经图案化处理形成所述存储电容的第二极板,以及所述阻挡材料层经图案化处理形成第一阻挡部,包括:
所述有源层经图案化处理形成导体结构和所述存储电容的第二极板,以及所述阻挡材料层经图案化处理和退火处理形成第一阻挡部。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:
在所述第一阻挡部远离所述有源层的一侧表面和所述有源层远离所述第一金属层的一侧表面形成栅极绝缘层;
对所述栅极绝缘层进行退火处理,所述导体结构与所述栅极绝缘层接触的区域退导体化形成半导体结构,所述第二极板与所述栅极绝缘层接触的区域退导体化形成半导体部;
在所述栅极绝缘层上形成第一接触孔和第二接触孔,以露出所述半导体结构;
对所述第一接触孔和所述第二接触孔内的所述半导体结构进行导体化处理,以形成源极接触部和漏极接触部。
10.一种显示终端,其特征在于,包括终端主体和如权利要求1至6任一项所述的显示面板,所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210492251.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的