[发明专利]显示面板及其制备方法、显示终端

说明书

本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示终端，显示面板包括衬底层、第一金属层、有源层以及第二金属层；第一金属层包括存储电容的第一极板；有源层包括存储电容的第二极板；第二金属层包括存储电容的第三极板，第三极板与第一极板电性连接；其中，有源层面向第二金属层的一侧表面设置有阻挡层，阻挡层包括第一阻挡部，第一阻挡部位于第二极板上；本发明通过在有源层面向第二金属层的一侧表面设置阻挡层，阻挡层的第一阻挡部可以阻挡第二极板退导体化，从而在保证像素发光区域平坦度的前提下制备三层夹层电容结构，使得存储电容的电容值满足显示面板的显示驱动要求，以提升显示面板的显示性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示终端。

背景技术

现有的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板的像素驱动电路一般包括开关薄膜晶体管(Switch TFT)、驱动薄膜晶体管(Driving TFT)以及存储电容(Cst)，其阵列基板制程传统上会采用顶栅结构薄膜晶体管(Top-gate TFT)和发光材料蒸镀(Evaporation)工艺。为提高OLED显示面板的量产特性，降低阵列基板制程的成本，当前的开发方向之一是采用可以减少黄光制程的栅源漏同层(Gate-Source-Drain onelayer，GSD)制程，同时结合喷墨印刷(Ink-jet Printing，IJP)技术，可以进一步提升OLED显示面板的量产可行性。

当前底部发光(Bottom emission)的OLED显示面板需要设置独立于电路区域的发光区域，不利于提高开口率；顶部发光(Top emission)的OLED显示面板不需要设置独立的发光区域，可以实现更高的开口率，提升OLED显示面板的显示性能。顶部发光的GSD制程的OLED显示面板采用将存储电容设置在发光器件下方的设计可以提升像素分辨率。

由于IJP技术对像素发光区域的平坦度要求很高，当前GSD制程的OLED显示面板通常采用遮光层(LS)/有源层(IGZO)的上下极板电容结构来保证OLED显示面板的驱动性能，从而不用在平坦化层上打孔，使得像素发光区域的平坦度可以得到保证。但随着分辨率提升，上下极板电容结构的电容值无法满足OLED显示面板的显示驱动要求，进而影响了OLED显示面板的显示性能。若采用在有源层和平坦化层之间再增加一层极板的三层夹层电容结构来提高电容值，会导致有源层退导体化，从而无法导电。故，有必要改善这一缺陷。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板，用于解决现有技术的显示面板在有源层和平坦化层之间增加电容极板，导致有源层退导体化，无法导电的技术问题。

本发明实施例提供一种显示面板，包括衬底层、第一金属层、有源层以及第二金属层；所述第一金属层位于所述衬底层上，所述第一金属层包括存储电容的第一极板；所述有源层位于所述第一金属层上，所述有源层包括所述存储电容的第二极板；所述第二金属层位于所述有源层上，所述第二金属层包括所述存储电容的第三极板，所述第三极板与所述第一极板电性连接；其中，所述有源层面向所述第二金属层的一侧表面设置有阻挡层，所述阻挡层包括第一阻挡部，所述第一阻挡部位于所述第二极板上。

在本发明实施例提供的显示面板中，在垂直于所述显示面板的出光侧方向上，所述第一阻挡部的宽度和所述第二极板的宽度均大于所述第一极板的宽度。

在本发明实施例提供的显示面板中，所述第二极板包括导体部和位于所述导体部两侧的半导体部，所述第一极板在所述第二极板上的正投影位于所述导体部上。

在本发明实施例提供的显示面板中，所述第一阻挡部覆盖所述第二极板远离所述第一极板的一侧表面以及所述第二极板的侧面。