[发明专利]微发光二极管芯片的转移方法、显示面板在审
申请号: | 202210493954.5 | 申请日: | 2022-04-29 |
公开(公告)号: | CN114843303A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 史金明;赵慧茹 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 转移 方法 显示 面板 | ||
1.一种微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1:提供一驱动基板,所述驱动基板包括多个呈阵列分布的焊接槽,多个所述焊接槽包括第一焊接槽、第二焊接槽和第三焊接槽;
步骤S2:形成填充于所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的牺牲层;
步骤S3:将多个第一颜色芯片转移至所述第一焊接槽内且与所述第一焊接槽内的第一金属焊盘绑定焊接;
步骤S4:剥离掉填充于所述第二焊接槽内的所述牺牲层;
步骤S5:将多个第二颜色芯片转移至所述第二焊接槽内且与所述第二焊接槽内的第二金属焊盘绑定焊接;
步骤S6:剥离掉填充于所述第三焊接槽内的所述牺牲层;以及
步骤S7:将多个第三颜色芯片转移至所述第三焊接槽内且与所述第三焊接槽内的第三金属焊盘绑定焊接。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,所述步骤S2包括以下步骤:
在所述驱动基板上整面形成牺牲材料层;
提供一第一掩膜板,所述第一掩膜板包括与所述第二焊接槽及所述第三焊接槽对应设置的多个遮光区;以及
采用所述第一掩膜板对所述牺牲材料层进行一道黄光制程,以形成填充于所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的所述牺牲层。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,所述步骤S2包括以下步骤:
形成填充于所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的所述牺牲层;以及
剥离掉填充于所述第一焊接槽内的所述牺牲层。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,所述形成填充于所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的所述牺牲层,包括以下步骤:
提供一第二掩膜板,所述第二掩膜板包括与所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽对应设置的多个开口区;
将所述第二掩膜板设置于所述驱动基板一侧;
在所述第二掩膜板远离所述驱动基板的一侧整面涂布牺牲材料层;以及
移除所述第二掩膜板,形成填充于所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的所述牺牲层。
5.根据权利要求4所述的微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,所述剥离掉填充于所述第一焊接槽内的牺牲层,包括以下步骤:
提供一第三掩膜板,所述第三掩膜板包括与多个所述第一焊接槽对应设置的多个第一透光区;
将所述第三掩膜板设置于所述驱动基板一侧;以及
采用激光源在所述第三掩膜板远离所述驱动基板一侧对所述牺牲层进行激光照射,以剥离掉填充于所述第一焊接槽内的所述牺牲层。
6.根据权利要求1所述的微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,所述牺牲层的材料包括色阻、聚酰亚胺和UV胶。
7.根据权利要求1所述的微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,采用流体装配工艺将所述第一颜色芯片、所述第二颜色芯片和所述第三颜色芯片分别转移至所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内。
8.根据权利要求7所述的微发光二极管芯片的转移方法,其特征在于,
在所述步骤S3中,将所述驱动基板和多个所述第一颜色芯片置于一盛有溶剂的腔室内,并振动所述腔室,使所述第一颜色芯片在振动作用下落入所述第一焊接槽内并与所述第一金属焊盘通过焊料绑定连接;
在所述步骤S5中,将所述驱动基板和多个所述第二颜色芯片置于一盛有溶剂的腔室内,并振动所述腔室,使所述第二颜色芯片在振动作用下落入所述第二焊接槽内并与所述第二金属焊盘通过焊料绑定连接;
在所述步骤S7中,将所述驱动基板和多个所述第三颜色芯片置于一盛有溶剂的腔室内,并振动所述腔室,使所述第三颜色芯片在振动作用下落入所述第三焊接槽内并与所述第三金属焊盘通过焊料绑定连接。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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