[发明专利]微发光二极管芯片的转移方法、显示面板在审
申请号: | 202210493954.5 | 申请日: | 2022-04-29 |
公开(公告)号: | CN114843303A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 史金明;赵慧茹 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 转移 方法 显示 面板 | ||
本发明实施例公开了一种微发光二极管芯片的转移方法、显示面板,转移方法通过形成填充于第一焊接槽、第二焊接槽和第三焊接槽内的牺牲层,之后剥离掉填充于第一焊接槽内的牺牲层,由于第一焊接槽内未填充有牺牲层,从而可将第一颜色芯片转移至第二焊接槽内且与所述第二焊接槽内的第二绑定焊盘绑定焊接;之后采用同样步骤分将第二颜色芯片和第三颜色芯片分别转移至第二焊接槽内和第三焊接槽内,有利于实现精准对位,且无需将微发光二极管芯片与对应的焊接槽设计成特定形状,简化了制备工序。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种微发光二极管芯片的转移方法、显示面板。
背景技术
现有的流体装配方式是将所有颜色的微发光二极管芯片混合至一腔室内,并转移至驱动基板上,不易实现精准对位。而且,不同颜色的微发光二极管芯片的形状需要与驱动基板上对应的焊接槽的形状相适配,则不同颜色的微发光二极管芯片与对应的焊接槽需设计成特定形状,制备工序复杂。
发明内容
本发明实施例提供一种微发光二极管芯片的转移方法、显示面板,以解决现有的微发光二极管芯片的转移方法不易实现精准对位的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种微发光二极管芯片的转移方法,包括以下步骤:
步骤S1:提供一驱动基板,所述驱动基板包括多个呈阵列分布的焊接槽,多个所述焊接槽包括第一焊接槽、第二焊接槽和第三焊接槽;
步骤S2:形成填充于所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的牺牲层;
步骤S3:将多个第一颜色芯片转移至所述第一焊接槽内且与所述第一焊接槽内的第一金属焊盘绑定焊接;
步骤S4:剥离掉填充于所述第二焊接槽内的所述牺牲层;
步骤S5:将多个第二颜色芯片转移至所述第二焊接槽内且与所述第二焊接槽内的第二金属焊盘绑定焊接;
步骤S6:剥离掉填充于所述第三焊接槽内的所述牺牲层;以及
步骤S7:将多个第三颜色芯片转移至所述第三焊接槽内且与所述第三焊接槽内的第三金属焊盘绑定焊接。
根据本发明提供的微发光二极管芯片的转移方法,所述步骤S2包括以下步骤:
在所述驱动基板上整面形成牺牲材料层;
提供一第一掩膜板,所述第一掩膜板包括与所述第二焊接槽及所述第三焊接槽对应设置的多个遮光区;以及
采用所述第一掩膜板对所述牺牲材料层进行一道黄光制程,以形成填充于所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的所述牺牲层。
根据本发明提供的微发光二极管芯片的转移方法,所述步骤S2包括以下步骤:
形成填充于所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的所述牺牲层;以及
剥离掉填充于所述第一焊接槽内的所述牺牲层。
根据本发明提供的微发光二极管芯片的转移方法,所述形成填充于所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的所述牺牲层,包括以下步骤:
提供一第二掩膜板,所述第二掩膜板包括与所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽对应设置的多个开口区;
将所述第二掩膜板设置于所述驱动基板一侧;
在所述第二掩膜板远离所述驱动基板的一侧整面涂布牺牲材料层;以及
移除所述第二掩膜板,形成填充于所述第一焊接槽、所述第二焊接槽和所述第三焊接槽内的所述牺牲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的