[发明专利]改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法在审
| 申请号： | 202210494666.1 | 申请日： | 2022-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115064441A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 陈彩云;顾珍;黄斌冰;张磊;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 tin 金属 存储器 结构 擦除 特性 方法 | ||
1.一种改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成层间介质层、包裹于层间介质层内的隧穿氧化层、形成于所述隧穿氧化层上方且包裹于所述层间介质层内的刻蚀停止层，刻蚀所述层间介质层形成凹槽，形成覆盖所述层间介质层的氮化钛层和位于所述氮化钛层上的第一氧化层；
步骤二、形成覆盖所述第一氧化层的光刻胶，通过光刻定义出存储区域和非存储区域，打开所述非存储区域的所述光刻胶，使得所述非存储区域的所述第一氧化层裸露，之后回刻裸露的所述第一氧化层，使得其下方的所述金属浮栅层裸露，刻蚀去除裸露的所述金属浮栅层，之后去除所述光刻胶；
步骤三、形成覆盖所述存储区域、所述非存储区域的第二氧化层，刻蚀去除所述存储区域中所述凹槽侧壁之外的所述第一、二氧化层和所述氮化钛层，刻蚀去除所述非存储区域中所述凹槽侧壁之外的所述第二氧化层；
步骤四、以导电金属填充部分所述凹槽，回刻所述导电金属，在剩余的所述凹槽形成第三氧化层，再研磨第三氧化层及下方的所述层间介质层至所述刻蚀停止层的上表面；
步骤五、形成覆盖所述刻蚀停止层、所述层间介质层的氮化硅层及位于所述氮化硅层上的第四氧化层，之后对所述第四氧化层进行氮化处理；
步骤六、在所述第四氧化层上形成擦除栅。
2.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中的所述层间介质层的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中的所述隧穿氧化层在温度为600～900℃的炉管中生成。
6.根据权利要求4所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中的所述隧穿氧化层的厚度为40至200埃。
7.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中所述氮化钛层的厚度为10至50埃。
8.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中所述氮化钛层淀积的温度为300至500℃。
9.根据权利要求7所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一氧化层的厚度为10至15埃。
10.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一氧化层的淀积温度为40至200℃。
11.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤二中采用湿法刻蚀的方法去除所述氮化钛层。
12.根据权利要求11所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤二中采用HF、H2O2和H2O的混合清洗液去除所述氮化钛层，处理时间为20至200S。
13.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤五中所述第四氧化层的形成温度为500至900℃。
14.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤五中的所述第四氧化层的厚度为50至300埃。
15.根据权利要求1所述的改善TIN金属浮栅存储器结构擦除特性的方法，其特征在于：步骤五中在所述第四氧化层形成前后均采用N2O退火的方法进行氮化。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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