[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一第一鳍片，从一基板延伸；

一第一栅极堆叠，在该第一鳍片上方并沿着该第一鳍片的多个侧壁；

一第一栅极间隔物，设置在沿着该第一栅极堆叠的一侧壁；以及

一第一源极/漏极区域，在该第一鳍片中并邻近该第一栅极间隔物，该第一源极/漏极区域包含:

一第一含碳的缓冲层，在该第一鳍片上；和

一第一外延结构，在该第一含碳的缓冲层上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一含碳的缓冲层在一底部处比在该第一源极/漏极区域的多个侧部处较厚。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一含碳的缓冲层包含以碳掺杂的硅砷化物。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

一蚀刻停止层，在该第一源极/漏极区域上方并且在该第一栅极间隔物的一侧壁上；

一第一层间介电质，在该蚀刻停止层上方；

一第二层间介电质，在该第一层间介电质上方；以及

一第一导电接触件，延伸穿过该第一层间介电质、该第二层间介电质、和该蚀刻停止层，该第一导电接触件电性耦合到该第一源极/漏极区域。

5.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：

沉积一第一虚拟栅极，该第一虚拟栅极在从一基板向上延伸的一第一鳍片上方并且沿着该第一鳍片的多个侧壁；

形成一第一栅极间隔物，该第一栅极间隔物沿着该第一虚拟栅极的一侧壁；

形成一第一凹陷处，该第一凹陷处在邻近该第一栅极间隔物的该第一鳍片中；以及

形成一第一源极/漏极区域，该第一源极/漏极区域在该第一凹陷处中，所述形成该第一源极/漏极区域包含:

外延地成长一第一含碳的缓冲层，该第一含碳的缓冲层在该第一凹陷处中；和

从该第一凹陷处中的该第一含碳的缓冲层外延地成长该第一掺杂层，该第一掺杂层在该第一含碳的缓冲层上方。

6.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第一含碳的缓冲层具有从0.2重量百分比至2.0重量百分比范围内的碳的重量百分比。

7.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第一掺杂层具有一晶面的顶表面，该晶面的顶表面凸出高于该第一鳍片的一上表面。

8.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第一含碳的缓冲层在该第一源极/漏极区域的一侧壁上具有从1纳米至6纳米范围内的厚度。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：

形成一第一虚拟栅极，该第一虚拟栅极在从一基板向上延伸的一第一鳍片上方并且沿着该第一鳍片的多个侧壁；

形成一第一栅极间隔物，该第一栅极间隔物沿着该第一虚拟栅极的一侧壁；

蚀刻一第一凹陷处，该第一凹陷处在邻近该第一栅极间隔物的该第一鳍片中；

在该第一凹陷处中形成一第一源极/漏极区域，该第一源极/漏极区域包含一第一缓冲层和一第一外延结构，该第一缓冲层包含碳，该第一缓冲层从在该第一凹陷处中的该第一鳍片成长，该第一外延结构从该第一缓冲层成长，该第一外延结构包含硅和磷；以及

以一功能性栅极堆叠替换该第一虚拟栅极，该功能性栅极堆叠设置在该第一鳍片上方并且沿着该第一鳍片的多个侧壁。

10.根据权利要求9所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，还包含：

形成一蚀刻停止层，该蚀刻停止层在该第一源极/漏极区域上方和在该第一栅极间隔物的一侧壁上；

形成一第一层间介电质，该第一层间介电质在该蚀刻停止层上方；

形成一第二层间介电质，该第二层间介电质在该第一层间介电质上方；

蚀刻一孔洞，该孔洞穿过该第一层间介电质、该第二层间介电质、以及该蚀刻停止层；以及

在该孔洞中形成一第一导电接触件，该第一导电接触件电性耦合到该第一源极/漏极区域。