[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

说明书

一种半导体装置和制造半导体装置的方法，一个实施方式包括一种装置，此装置包括从基板延伸的第一鳍片。此装置也包括第一栅极堆叠其在第一鳍片上方并且沿着第一鳍片的侧壁。此装置也包括第一栅极间隔物其沿着第一栅极堆叠的侧壁而设置。此装置也包括第一源极/漏极区域其在第一鳍片中并且邻近第一栅极间隔物，第一源极/漏极区域包括在第一鳍片上的第一含碳的缓冲层。此装置也包括第一外延结构其在第一含碳的缓冲层上。

技术领域

本揭示内容是关于半导体装置和其制造方法，以经由降低半导体装置的电阻来提高场效晶体管装置的性能。

背景技术

半导体装置用于各种电子应用，像是例如，个人计算机、移动电话、数字相机、和其他的电子设备。制造半导体装置通常经由在半导体基板上方依序地沉积绝缘层或介电层、导电层、和半导体层的材料，以及使用微影来将各个材料层图案化，以形成电路组件和在其上的元件。

半导体产业不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，经由不断地减小特征尺寸，而允许更多的组件集成在给定的区域之内。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了应解决的其他问题。

发明内容

本揭示内容的一些实施方式提供了一种半导体装置，包含：第一鳍片、第一栅极堆叠、第一栅极间隔物、以及第一源极/漏极区域。第一鳍片从基板延伸。第一栅极堆叠在第一鳍片的上方并沿着第一鳍片的多个侧壁。第一栅极间隔物设置在沿着第一栅极堆叠的侧壁。第一源极/漏极区域在第一鳍片中并邻近第一栅极间隔物，第一源极/漏极区域包含：第一含碳的缓冲层、和第一外延结构。第一含碳的缓冲层在第一鳍片上。第一外延结构在第一含碳的缓冲层上。

本揭示内容的一些实施方式提供了一种制造半导体装置的方法，此方法包含：沉积第一虚拟栅极，第一虚拟栅极在从基板向上延伸的第一鳍片上方并且沿着第一鳍片的多个侧壁；形成第一栅极间隔物，第一栅极间隔物沿着第一虚拟栅极的侧壁；形成第一凹陷处，第一凹陷处在邻近第一栅极间隔物的第一鳍片中；以及形成第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域在第一凹陷处中，所述形成第一源极/漏极区域包含:外延地成长第一含碳的缓冲层，第一含碳的缓冲层在第一凹陷处中；和从第一凹陷处中的第一含碳的缓冲层外延地成长第一掺杂层，第一掺杂层在第一含碳的缓冲层上方。

本揭示内容的一些实施方式提供了一种制造半导体装置的方法，此方法包含：形成第一虚拟栅极，第一虚拟栅极在从基板向上延伸的第一鳍片上方并且沿着第一鳍片的多个侧壁；形成第一栅极间隔物，第一栅极间隔物沿着第一虚拟栅极的侧壁；蚀刻第一凹陷处，第一凹陷处在邻近第一栅极间隔物的第一鳍片中；在第一凹陷处中形成第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域包含第一缓冲层和第一外延结构，第一缓冲层包含碳，第一缓冲层从在第一凹陷处中的第一鳍片成长，第一外延结构从第一缓冲层成长，第一外延结构包含硅和磷；以及以功能性栅极堆叠替换第一虚拟栅极，功能性栅极堆叠设置在第一鳍片上方并且沿着第一鳍片的多个侧壁。

附图说明

本揭示内容的多个态样可由以下的详细描述并且与所附附图一起阅读，得到最佳的理解。注意的是，根据产业界的标准惯例，各个特征并未按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚性起见，各个特征的尺寸可任意地增加或减小。

图1绘示了根据一些实施方式的三维视图的鳍式场效晶体管的实施例；

图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图11A、图11B、图11C、图11D、图11E、图11F、图11G、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图15C、图16A、图16B、图17A、图17B、和图17C是根据一些实施方式在鳍式场效晶体管的制造中的多个中间阶段的截面视图。

【符号说明】

108:第二层间介电质

110:栅极接触件

112:源极/漏极接触件