[发明专利]一种基于SAW和BAW的滤波器芯片及其制造工艺

权利要求书

1.一种基于SAW和BAW的滤波器芯片，其特征在于，所述基于SAW和BAW的滤波器芯片包括衬底、BAW模块、SAW模块；

所述衬底上设置有引脚；

所述BAW模块为多膜层的谐振结构，所述衬底和所述BAW模块之间设置有第一空腔；

所述SAW模块包括SAW谐振层，所述SAW谐振层通过第一导线与所述BAW模块连接，所述第一导线通过第二导线与所述引脚连接；所述SAW模块和所述衬底之间设置有支撑柱，所述SAW模块和所述BAW模块之间设置第二空腔。

2.根据权利要求1所述的基于SAW和BAW的滤波器芯片，其特征在于，所述BAW模块为三膜层结构，包括依次设置的第一电极层、介质层和第二电极层；

所述SAW谐振层通过所述第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接，所述第一电极层与所述衬底之间设置有所述第一空腔，所述第二电极层与所述SAW模块之间设置有所述第二空腔。

3.根据权利要求2所述的基于SAW和BAW的滤波器芯片，其特征在于，所述第一电极层上分离设置有电极层子块，所述第一导线串联连接所述SAW谐振层的一端、所述电极层子块和所述第二电极层，且所述第一导线还连接所述SAW谐振层的另一端和所述第一电极层。

4.根据权利要求2所述的基于SAW和BAW的滤波器芯片，其特征在于，所述BAW模块包括依次设置的高阻片、所述SAW谐振层和钝化层；

所述高阻片和所述衬底之间设置有所述支撑柱，所述高阻片和所述第二电极层之间设置有所述第二空腔。

5.一种基于SAW和BAW的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述基于SAW和BAW的滤波器芯片制造工艺包括：

在衬底与BAW模块之间设置第一空腔；

在所述BAW模块上设置金属导线；

在所述BAW模块和高阻片之间设置第二空腔；

在所述高阻片上设置SAW谐振层，通过第一导线连接所述金属导线；

在所述SAW谐振层上设置钝化层；

在所述衬底上设置引脚。

6.根据权利要求5所述的基于SAW和BAW的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述BAW模块包括第一电极层、介质层和第二电极层；所述在衬底与BAW模块之间设置第一空腔，包括以下步骤：

利用光刻刻蚀工艺在所述衬底上形成凹槽；

利用牺牲层工艺填充所述凹槽，得到牺牲层，并利用抛光工艺对所述牺牲层和所述衬底做抛光加工；

在所述牺牲层上设置所述第一电极层，通过刻蚀工艺在所述第一电极层的边缘处分离出电极层子块；

在所述第一电极层上设置所述介质层，在所述介质层上设置所述第二电极层；

利用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层，得到所述第一空腔。

7.根据权利要求5所述的基于SAW和BAW的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在所述BAW模块上设置金属导线，包括以下步骤：

利用PVD工艺在所述BAW模块形成种籽层；

利用电镀工艺在所述种籽层形成所述金属导线，再利用刻蚀工艺消除所述种籽层。

8.根据权利要求5所述的基于SAW和BAW的滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在所述BAW模块和高阻片之间设置第二空腔，包括以下步骤：

在所述BAW模块和所述衬底上覆盖设置绝缘层；

通过光刻刻蚀工艺对所述绝缘层刻蚀加工，露出所述BAW模块，保留所述绝缘层边缘材料，得到支撑柱；

利用CMP抛光工艺对所述BAW模块和所述支撑柱做抛光处理；

利用键合工艺在所述支撑柱上设置所述高阻片，在所述BAW模块和所述高阻片之间形成所述第二空腔；

对所述衬底和所述高阻片做减薄和抛光处理。