[发明专利]一种基于SAW和BAW的滤波器芯片及其制造工艺

说明书

本发明适用于MEMS芯片制造工艺领域，提供了一种基于SAW和BAW的滤波器芯片及其制造工艺。一种基于SAW和BAW的滤波器芯片，其特征在于，所述基于SAW和BAW的滤波器芯片包括衬底、BAW模块、SAW模块；所述衬底上设置有引脚；所述BAW模块为多膜层的谐振结构，所述衬底和所述BAW模块之间设置有第一空腔；所述SAW模块包括SAW谐振层，所述SAW谐振层通过第一导线与所述BAW模块连接，所述第一导线通过第二导线与所述引脚连接；所述SAW模块和所述衬底之间设置有支撑柱，所述SAW模块和所述BAW模块之间设置第二空腔。本发明设置了一种混合结构滤波器的叠层滤波器芯片，通过搭塔楼的方式将BAW和SAW的核心工作区域混合叠放，可以同时满足不同滤波频段的需求。

技术领域

本发明属于MEMS芯片制造工艺技术领域，尤其涉及一种基于SAW和BAW的滤波器芯片及其制造工艺。

背景技术

随着当今集成电路的迅速发展，大规模集成电路已逐渐的出现在人们的视野当中，同时随着科技时代的进步，手机和自动汽车等电子技术设备也逐一亮相，5G信号也相应的被设计出来。其5G信号相对原有的4G信号的优势在于它的频段会更大更宽且信号传输运行的速度更快，带宽外频段的抑制能力更强。

目前滤波器芯片的分类可分为SAW类型和BAW类型。SAW，即表面声谐振器(SurfaceAcoustic Wave)，利用声表面波来处理和传播信号的无源器件；BAW，即薄膜体声谐振器(Bulk Acoustic Wave)，以纵波或横波在固体内部传递的形式来处理声波信号。

SAW和BAW两种滤波器芯片分别适配不同低中高频段，只在相应的频段中有优势。现有的SAW滤波器芯片和BAW滤波器芯片只能分别适配相应的低中高频段，无法同时处理不同频段的声波。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种基于SAW和BAW的滤波器芯片及其制造工艺，旨在解决现有滤波器芯片无法处理不同频段的声波的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种基于SAW和BAW的滤波器芯片，所述基于SAW和BAW的滤波器芯片包括衬底、BAW模块、SAW模块；

所述衬底上设置有引脚；

所述BAW模块为多膜层的谐振结构，所述衬底和所述BAW模块之间设置有第一空腔；

所述SAW模块包括SAW谐振层，所述SAW谐振层通过第一导线与所述BAW模块连接，所述第一导线通过第二导线与所述引脚连接；所述SAW模块和所述衬底之间设置有支撑柱，所述SAW模块和所述BAW模块之间设置第二空腔。

本发明实施例的另一目的在于一种基于SAW和BAW的滤波器芯片制造工艺，所述基于SAW和BAW的滤波器芯片制造工艺包括：

在衬底与BAW模块之间设置第一空腔；

在所述BAW模块上设置金属导线；

在所述BAW模块和高阻片之间设置第二空腔；

在所述高阻片上设置SAW谐振层，通过第一导线连接所述金属导线；

在所述SAW谐振层上设置钝化层；

在所述衬底上设置引脚。

本发明实施例提供的一种基于SAW和BAW的滤波器芯片，设置了一种Hybridfilter(混合结构滤波器)叠层的滤波器芯片结构，层叠的方式包括将衬底、BAW模块、SAW模块纵向叠放，将第一电极层、介质层和第二电极层依次纵向叠放，以及将高阻片、SAW谐振层和钝化层，通过搭塔楼的方式将BAW和SAW的核心工作区域混合叠放，可以同时满足不同滤波频段的需求，使得芯片整体的结构更加紧凑，在满足终端产品的性能需求的同时，也可以与终端产品的高集成小尺寸的要求有更高适配度。

附图说明