[发明专利]基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法

权利要求书

1.基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤，其特征在于：

所述的装料具体是：

PBN下坩埚装料首先将第一锥形料放入PBN下坩埚底部，然后放入2块搭桥梯形料组合成圆柱搭桥结构，然后在搭桥结构的两侧分别放入砷颗粒和三氧化二硼，然后再将圆饼料放在搭桥上面，最后将标准梯形料放在圆饼料上面；

PBN上坩埚的装料首先将第二锥形料放入PBN上坩埚底部，再往上放圆饼料，再将标准梯形料的大面朝下对垒在圆饼料上面，2块标准梯形料按圆柱的形状对垒在标准梯形料上，旁边再放2块标准梯形料；

所述的等径生长过程中，坩埚下降速度为1.2mm/h进行等径生长收尾。

2.如权利要求1所述的基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，其特征在于所述的化料分两个阶段，具体是：

第一阶段为升温初步化上坩埚的料：设置各温区的加热温度，第一加热区为860℃、第二加热区为940℃、第三加热区为1029℃、第四加热区为1029℃、第五加热区为1019℃、第六加热区为1019℃；

第二阶段整体化料，加热升温使第一加热区为860℃、第二加热区为988℃、第三加热区为1000℃、第四加热区为1000℃、第五区为1006℃、第六区为1006℃；

进一步的，测温热电偶采用R型热电偶。

3.如权利要求1所述的基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，其特征在于所述的接籽晶过程是经过8小时，首先将TC₁- TC₆下降0.1-5.5℃，进行籽晶回熔后的再结晶。

4.如权利要求1所述的基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，其特征在于所述放肩过程经过20个小时降温使第一区826.8℃、第二区954.8℃、第三区1008.7℃、第四区1011.9℃、第五区1005.9℃、第六区1005.9℃。

5.如权利要求1所述的基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，其特征在于所述冷却退火过程分四个阶段，具体如下：

冷却过程第一阶段：TC₁-TC₆降温速度为2.1-2.6℃/h；

冷却过程第二阶段：TC₁-TC₆降温速度为16.9-36.8℃/h；

冷却过程第三阶段：TC₁-TC₆降温速度为27-32℃/h；

冷却过程第四阶段：TC₁-TC₆降温速度为10.7-11.3℃/h。