[发明专利]一种低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路

权利要求书

1.一种低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路，其特征在于，包括：

强电流泄放SCR路径，所述强电流泄放SCR路径包括：

PNP晶体管，所述PNP晶体管的发射极与低噪声放大器的电源端VDD相连；

NPN晶体管，所述NPN晶体管的集电极与所述PNP晶体管的基极相连，所述NPN晶体管的基极与所述PNP晶体管的集电极相连，所述NPN晶体管的发射极与所述低噪声放大器的接地端VSS相连；

第一正偏二极管，所述第一正偏二极管的阳极与所述低噪声放大器的信号端I/O相连，所述第一正偏二极管的阴极与所述PNP晶体管的集电极和所述NPN晶体管的基极相连；

第二正偏二极管，所述第二正偏二极管的阴极与所述低噪声放大器的电源端VDD相连；

第三正偏二极管，所述第三正偏二极管的阳极分别连接所述PNP晶体管的基极和所述NPN晶体管的集电极，所述第三正偏二极管的阴极与所述低噪声放大器的信号端I/O相连；

第四正偏二极管，所述第四正偏二极管的阳极与所述低噪声放大器的接地端VSS相连，

第一隧穿管，所述第一隧穿管的阳极与所述第二正偏二极管的阳极相连，所述第一隧穿管的阴极与所述PNP晶体管的集电极和所述NPN晶体管的基极相连；

第二隧穿管，所述第二隧穿管的阳极连接所述PNP晶体管的基极和所述NPN晶体管的集电极，所述第二隧穿管的阴极与所述第四正偏二极管的阴极相连。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述NPN晶体管的基极与所述PNP晶体管的基极之间包括多个正偏二极管。

3.一种基于权利要求1-2任一项所述的低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路的防护方法，其特征在于，包括：

判断静电浪涌应力的方向以及位置，得到判断结果；

当所述静电浪涌应力为正向时，根据所述静电浪涌应力的位置将强电流泄放SCR路径与所述低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路中的多个正偏二极管组合为组合电路，进行泄放静电浪涌电流；

当所述静电浪涌应力为反向时，根据所述静电浪涌应力的位置将所述低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路中的多个正偏二极管组合为组合电路，进行泄放静电浪涌电流。

4.如权利要求3所述的防护方法，其特征在于，所述当所述静电浪涌应力为正向时，根据所述静电浪涌应力的位置将强电流泄放SCR路径与所述低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路中的多个正偏二极管组合为组合电路，进行泄放静电浪涌电流包括；

当所述静电浪涌正向应力作用于所述低噪声放大器的电源端VDD与接地端VSS之间时，所述PNP晶体管的发射结、所述第三正偏二极管、所述第一正偏二极管和所述NPN晶体管的发射结构成的辅助结构触发所述强电流泄放SCR路径进行泄放静电浪涌电流，以便提高所述强电流泄放SCR路径的瞬态响应速度和开启后的电压钳位能力。

5.如权利要求3所述的防护方法，其特征在于，所述当所述静电浪涌应力为正向时，根据所述静电浪涌应力的位置将强电流泄放SCR路径与所述低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路中的多个正偏二极管组合为组合电路，进行泄放静电浪涌电流还包括：

当所述静电浪涌正向应力作用于所述低噪声放大器的电源端VDD与信号端I/O之间时，通过所述PNP晶体管的发射结、第三正偏二极管构成的双二极管组合电路辅助触发开启所述强电流泄放SCR路径，所述强电流泄放SCR路径在正反馈作用下快速开启并泄放静电浪涌电流。

6.如权利要求3所述的防护方法，其特征在于，所述当所述静电浪涌应力为正向时，根据所述静电浪涌应力的位置将强电流泄放SCR路径与所述低噪声放大器的超低压静电浪涌全芯片防护电路中的多个正偏二极管组合为组合电路，进行泄放静电浪涌电流还包括：

当所述静电浪涌正向应力作用于所述低噪声放大器的信号端I/O与接地端VSS之间时，通过所述第一正偏二极管、所述NPN晶体管的发射结构成的双二极管组合电路辅助触发开启所述强电流泄放SCR路径，所述强电流泄放SCR路径在正反馈作用下快速开启并泄放静电浪涌电流。