[发明专利]集成电路器件和其形成方法在审
申请号: | 202210501233.4 | 申请日: | 2022-05-09 |
公开(公告)号: | CN115295507A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 陈志豪;郑博元;王卜;郑礼辉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/488 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艳青;王琳 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 器件 形成 方法 | ||
1.一种集成电路器件,其特征在于,包括:
封装组件,包括集成电路管芯和连接到所述集成电路管芯的导电连接件,所述导电连接件设置在所述封装组件的前侧,所述集成电路管芯暴露在所述封装组件的背侧;
散热层,位于所述封装组件的所述背侧和所述封装组件的侧壁上;
粘合剂层,位于所述散热层的背侧上,所述散热层的侧壁的部分不存在所述粘合剂层;和
封装衬底,连接到所述导电连接件。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件,其特征在于,所述散热层也位于所述封装组件的所述前侧上。
3.根据权利要求2所述的集成电路器件,其特征在于,所述散热层具有从所述封装组件的所述前侧延伸的突出部分。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件,其特征在于,所述集成电路器件进一步包括:
底部填充件,位于所述封装衬底和所述封装组件之间,所述底部填充件接触所述散热层。
5.一种集成电路器件,其特征在于,包括:
集成电路管芯;
包封体,围绕所述集成电路管芯;
重布线结构,位于所述包封体上;
散热层,位于所述重布线结构的侧壁、所述包封体的侧壁、所述包封体的背侧表面和所述集成电路管芯的背侧表面上;
粘合剂层,位于所述散热层的背侧表面,所述粘合剂层与所述散热层不同;和
散热器,位于所述粘合剂层上。
6.根据权利要求5所述的集成电路器件,其特征在于,所述集成电路器件进一步包括:
封装衬底,连接到所述重布线结构,所述散热器是附接到所述散热层和所述封装衬底的热盖部。
7.根据权利要求5所述的集成电路器件,其特征在于,所述散热层具有沿所述重布线结构的所述侧壁和所述包封体的所述侧壁的第一厚度,所述散热层具有沿所述包封体的所述背侧表面和所述集成电路管芯的所述背侧表面的第二厚度,并且所述第一厚度小于或等于所述第二厚度。
8.一种形成集成电路器件的方法,其特征在于,包括:
在晶片的封装区的中封装集成电路管芯;
从所述晶片中将所述封装区单体化以形成封装组件;
单体化所述封装区后,将所述封装组件放在支撑结构上;
在所述支撑结构、所述封装组件的背侧及所述封装组件的侧壁上沉积散热层;
从所述支撑结构提升所述封装组件;和
将所述封装组件连接到封装衬底。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述支撑结构是托盘,所述封装组件被放置在所述托盘的凹部中,且所述封装组件被提升出所述托盘的所述凹部。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述托盘在所述凹部的底部处包括支座,所述封装组件放置在所述支座上,且所述散热层沉积在所述支座的外部侧壁上。
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