[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：

提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞；

在所述沟槽内的导电插塞顶部形成金属层；

进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物；

对所述金属硅化物进行减氧处理，以减少所述金属硅化物中的金属氧化物；

去除减氧处理后剩余的金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法进一步包括：

对所述金属硅化物进行氮化处理，以将所述金属氧化物转化为金属氮氧化物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法进一步包括：

对所述金属硅化物进行还原处理，以还原所述金属氧化物。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法还包括：

在对所述金属硅化物进行氮化处理之前，对所述金属硅化物进行还原处理。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法还包括：

在对所述金属硅化物进行氮化处理之后，对所述金属硅化物进行还原处理。

6.根据权利要求3至5任一项所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述还原处理采用的气体包括氢气和氧气。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括钴、钛、镍和锰中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的材料包括多晶硅。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内的导电插塞顶部形成金属层之后，所述形成方法还包括：

在所述导电插塞顶部的金属层形成金属氮化物。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬底包括有源区与隔离区，所述导电插塞分别接触所述有源区与所述隔离区。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，相邻的所述导电插塞之间的相互靠近处接触所述隔离区，相互远离处接触所述有源区。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物的方法进一步包括：

进行退火工艺处理，使导电插塞顶部与接触的所述金属层发生反应；

在所述退火工艺之后去除未发生反应的金属层，得到所述金属硅化物。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物的方法还包括：

在去除未发生反应的金属层之后，向所述沟槽内通入氢氧混合气体。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：

在所述导电插塞顶部形成金属层之后，向所述沟槽内通入氢氧混合气体。

15.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞；

互连接触结构，位于所述沟槽暴露的导电插塞表面；

所述衬底包括有源区与隔离区，所述导电插塞分别接触所述有源区与所述隔离区。