[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本申请公开一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞；在所述沟槽内的导电插塞顶部形成金属层；进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物；对所述金属硅化物进行减氧处理，以减少所述金属硅化物中的金属氧化物；去除减氧处理后剩余的金属层。本申请能够降低半导体器件中对应互连接触结构的电阻率，提高互连接触结构的导电性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

导电接触面和对应的导电插塞被广泛应用于各类半导体器件，这些结构能够使半导体器件内的各部分和/或多个半导体器件之间实现电学互连，是半导体器件提供对应功能的保证。发明人在研究半导体接触技术时，发现接触面所在的接触结构存在电阻率高的问题，容易影响对应半导体器件的导电性能。

发明内容

鉴于此，本申请提供一种半导体器件及其形成方法，以解决半导体器件中接触结构电阻率高的问题。

本申请提供一种半导体器件的形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞；

在所述沟槽内的导电插塞顶部形成金属层；

进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物；

对所述金属硅化物进行减氧处理，以减少所述金属硅化物中的金属氧化物；

去除减氧处理后剩余的金属层。

可选地，所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法进一步包括：对所述金属硅化物进行氮化处理，以将所述金属氧化物转化为金属氮氧化物。

可选地，所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法进一步包括：对所述金属硅化物进行还原处理，以还原所述金属氧化物。

可选地，所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法还包括：在对所述金属硅化物进行氮化处理之前，对所述金属硅化物进行还原处理。

可选地，所述对所述金属硅化物进行减氧处理的方法还包括：在对所述金属硅化物进行氮化处理之后，对所述金属硅化物进行还原处理。

可选地，所述还原处理采用的气体包括氢气和氧气。

可选地，所述金属层的材料包括钴、钛、镍和锰中的至少一种。

可选地，所述导电插塞的材料包括多晶硅。

可选地，在所述沟槽内的导电插塞顶部形成金属层之后，所述形成方法还包括：在所述导电插塞顶部的金属层形成金属氮化物。

可选地，所述衬底包括有源区与隔离区，所述导电插塞分别接触所述有源区与所述隔离区。

可选地，所述进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物的方法进一步包括：进行退火工艺处理，使导电插塞顶部与接触的所述金属层发生反应；在所述退火工艺之后去除未发生反应的金属层，得到所述金属硅化物。

可选地，所述导电插塞顶部的金属层形成金属硅化物的方法还包括：在去除未发生反应的金属层之后，向所述沟槽内通入氢氧混合气体。

可选地，所述形成方法还包括：在所述导电插塞顶部形成金属层之后，向所述沟槽内通入氢氧混合气体。

本申请还提供一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括沟槽，所述沟槽暴露至少部分所述导电插塞；

互连接触结构，位于所述沟槽暴露的导电插塞表面；